Муніципальне освітній установа вищої професійної освіти "Південно Уральський Професійний Інститут "
Кафедра інформатики та обчислювальної техніки
біполярний транзистор колектор напруга
Контрольна робота
з дисципліни "Електротехніка та електроніка "
Тема: Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів
Челябінськ-2010
Зміст
Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів
Список використаної літератури
Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторах
1. Що таке біполярний транзистор і для чого він використовується?
Біполярний транзистор - трьохелектродний напівпровідниковий прилад, один з типів транзистора. Електроди підключені до трьох послідовно розташованим верствам напівпровідника з чергується типом домішкової провідності. За цим способом чергування розрізняють npn і pnp транзистори (n (negative) - електронний тип примесной провідності, p (positive) - дірковий). У біполярному транзисторі, на відміну від інших різновидів, основними носіями є і електрони, і дірки. Електрод, підключений до центрального шару, називають базою, електроди, підключені до зовнішніх шарів, називають колектором і емітером. На найпростішою схемою відмінності між колектором і емітером не видні. У Насправді ж головна відмінність колектора - велика площа p-n-переходу. Крім того, для роботи транзистора абсолютно необхідна мала товщина бази. Біполярний точковий транзистор був винайдений в 1947 році, в Протягом наступних років він зарекомендував себе як основний елемент для виготовлення інтегральних мікросхем, що використовують транзисторних-транзисторную, Резисторно-транзисторную і діод-транзисторную логіку. Застосування транзисторів: підсилювачі, каскади посилення, генератор, модулятор, демодулятор (Детектор), інвертор (лог. елемент), мікросхеми на транзисторної логікою.
2. Чим відрізняється транзистор типу р-n-р від транзистора типу n-р-n?
Залежно від типу провідності зон розрізняють NPN (емітер - n-напівпровідник, база - p-напівпровідник, колектор - n-напівпровідник) і PNP транзистори. До кожної із зон підведені провідні контакти. База розташована між емітером і колектором і виготовлена ​​з слабколегованих напівпровідника, що володіє великим опором. Загальна площа контакту база-емітер значно менше площі контакту колектор-база, тому біполярний транзистор загального вигляду є несиметричним пристроєм (неможливо шляхом зміни полярності підключення поміняти місцями емітер і колектор і отримати в результаті абсолютно аналогічний вихідного біполярний транзистор).
3. Які схеми включення біполярних транзисторів використовують і чим вони відрізняються?
Будь схема включення транзистора характеризується двома основними показниками. Коефіцієнт посилення по струму Iвих/Iвх. Вхідний опір Rвх = Uвх/Iвх ..
Схема включення із загальною базою.
Коефіцієнт посилення по струму: Iвих/Iвх = Ік/Iе = О± [О± <1]. Вхідний опір Rвх = Uвх/Iвх = Uбе/Iе.
Вхідна опір для схеми із загальною базою мало і не перевищує 100 Ом для малопотужних транзисторів, так як вхідні ланцюг транзистора при цьому являє собою відкритий емітерний перехід транзистора.
Недоліки схеми із загальною базою. Мале посилення по струму, так як О± <1. Мале вхідний опір. Два різних джерела напруги для харчування. p> Гідності. Хороші температурні і частотні властивості. Висока допустима напруга. h3> Схема включення з загальним емітером Iвих = Ік, Iвх = Іб, Uвх = Uбе, Uвих = Uке
Коефіцієнт посилення по струму: Iвих/Iвх = Ік/Іб = Ік/(Iе-Ік) = О±/(1-О±) = ОІ [ОІ>> 1]. p> Вхідний опір: Rвх = Uвх/Iвх = Uбе/Іб. p> Переваги: ​​Великий коефіцієнт посилення по струму. Великий коефіцієнт посилення по напрузі. Велике посилення потужності. Можна обійтися одним джерелом живлення. Вихідна змінна напруга інвертується щодо вхідного.
Недоліки:
Найгірші температурні і частотні властивості порівняно зі схемою із загальною базою.
Схема із загальним колектором
Iвих = Iе, Iвх = Іб, Uвх = Uбк, U вих = Uке. br/>
Коефіцієнт посилення по струму: Iвих/Iвх = Iе/Іб = Iе/(Iе-Ік) = 1/(1-О±) = ОІ [ОІ>> 1]. p> Вхідний опір: Rвх = Uвх/Iвх = (Uбе + Uке)/Іб. p> Переваги: ​​Велике вхідний опір. Мале вихідний опір. p> Недоліки: Коефіцієнт посилення по напрузі менше 1.
Схему з таким включенням називають "емітерний повторювачем".
4. Які характеристики є вхідними і вихідними кожної зі схем включення біполярних транзисторів?
Зазвичай аналізують вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора в схемах із загальною базою і загальним емітером. Для визначеності і наступності викладу розглядатимемо p-n-p-транзистор.
Схема із загальною базою:
...
