Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Контрольные работы » Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів

Реферат Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів





Сімейство вхідних характеристик схеми із загальною базою являє собою залежність IЕ = f (UЕБ) при фіксованих значеннях параметра UКБ - напруги на колекторному переході (малюнок 1, а).



В 

Малюнок 1-Вхідні (а) і вихідні (б) характеристики біполярного транзистора в схемі включення із загальною базою


Сімейство вихідних характеристик схеми із загальною базою являє собою залежності ІК = f (UКБ) при заданих значеннях параметра IЕ (малюнок 1, б).

Схема із загальним емітером:

Сімейство вхідних характеристик схеми із загальним емітером являє собою залежності IБ = f (UБЕ), причому параметром є

напруга UКЕ (малюнок 2, а).


В 

Малюнок 2-Вхідні (а) і вихідні (б) характеристики біполярного транзистора в схемі включення з загальним емітером


Друга характеристика на малюнку 2, а (UКЕ <0) відноситься до нормального активного режиму, для отримання якого напруга UКЕ має бути в pnp транзисторі негативним і за модулем перевищувати напруга UЕБ. У цьому випадку UКБ = UКЕ + UЕБ = UКЕ - UБЕ <0. p> Сімейство вихідних характеристик схеми із загальним емітером являє собою залежності ІК = f (UКЕ) при заданому параметрі IБ (малюнок 2, б).

Круті початкові ділянки характеристик відносяться до режиму насичення, а ділянки з малим нахилом - до нормального активного режиму. Перехід від першого режиму до другого, як уже зазначалося, відбувається при значеннях | UКЕ |, що перевищують | UБЕ |. На характеристиках як параметр береться не напруга UБЕ, а вхідний струм IБ.

5. Яке призначення елементів у схемах підсилювачів із загальним емітером і загальним колектором?

Резистори Rг враховують у схемах внутрішній опір джерела сигналу. На вході кожного каскаду знаходяться розділові конденсатори. Крім виконання звичайної функції поділу генератора і каскаду по постійному струму, вони служать для визначення вхідного опору каскаду.

Призначення інших елементів у схемі із загальним емітером (малюнок 3а): Rк1 - Колекторна навантаження каскаду, Rн1 - навантаження каскаду, R1, R2 - дільник напруги для подачі прямого зміщення на вхід транзистора, Rе1 - резистор для стабілізації робочої точки спокою.

Резистор Rе1 вносить в схему негативний зворотний зв'язок по постійному струму. Дія зворотного зв'язку (стабілізації робочої точки спокою) відбувається за рахунок включення напруги зворотного зв'язку у вхідні ланцюг підсилювача. Якщо Rе1Iе зростає, то напруга між базою і емітером транзистора VT1 зменшується, т.к. UR1 = R2 в€™ Iд В»const, де Iд - струм дільника. Конденсатор Се1 шунтирует резистор Rе1 по змінному сигналом. Призначення елементів у схемі із загальним колектором (малюнок 3б): R3, R4 - дільник напруги для подачі прямого зміщення на вхід транзистора, Rе2-емітерна навантаження каскаду, Rн2 - навантаження каскаду.

У схемі діє 100% негативна зворотній зв'язок по напрузі, тому що навантаження включена у вхідні ланцюг підсилювача і тому коефіцієнт посилення напруги менше 1. Через послідовної негативного зворотного зв'язку по напрузі вхідний опір каскаду велике, а вихідний - мало, тому підсилювач слабко впливає на джерело вхідного сигналу і може працювати на низкоомную навантаження. У всіх підсилювальних каскадах вихідна напруга знімається з резисторів RН1, RН2. На виході кожного каскаду знаходяться розділові конденсатори. Крім виконання звичайної функції поділу навантаження і каскаду по постійному струму, вони служать для визначення вихідного опору каскаду.

В В  Малюнок 3-Електрична схема підсилюючих каскадів із загальним емітером (а) і з загальним колектором (б) В 

6. Що відбудеться в схемі підсилювача з ОЕ, якщо виникає пробій Ср2, Се1 і обрив в ланцюгах R1, R2?

При обриві в ланцюзі R2 і шунтуванні Се1 на емітер буде подано зворотна напруга. А при обриві R1 і шунтуванні Ср2 на колектор подасться пряму напругу. В результаті колектор і емітер помінятися ролями, якщо на колекторний перехід буде подано пряму напругу, а на емітерний-зворотне. p> Такий режим роботи називається інверсним активним режимом (ІАР). У цьому випадку транзистор "працює" у зворотному напрямку: з колектора йде інжекція дірок, які проходять через базу і збираються емітерним переходом, але при цьому його параметри відрізняються від початкових.

7. Як повинна вибиратися робоча точка спокою, щоб забезпечити посилення можливо більшого вхідного сигналу з мінімальними нелінійними спотвореннями?

Провести лінію навантаження по постійному струму MN використовуючи вихідні характеристики транзистора. Лінія навантаження MN стоїтся по двох точках. Точка N відповідає режиму холостого ходу, коли Ік = 0, а Uке = Ек. Точка M відповідає режиму, коли Uке = 0, Ік = Ек/(Rк1 + Rе1). Вибрати робочу точку спокою А приблизно посередині лінії навантаження по постійному току MN.

8. Які елементи в підсилювальному каскаді зумовлюють появу нелінійних спотворень у вихідному сигналі?

Н...


Назад | сторінка 2 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду з загальним емітером
  • Реферат на тему: Розрахунок транзисторного підсилювача за схемою з загальним емітером
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювача, побудованого за схемою з загальним емітером