ЗМІСТ
ВСТУП
АНАЛІЗ ТЕХНІЧНОГО ЗАВДАННЯ
УКРУПНЕНИЙ ТЕХ. ПРОЦЕС ВИГОТОВЛЕННЯ
РОЗРАХУНОК ОСНОВНИХ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРА
ВИСНОВОК
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
ДОДАТОК
. ВСТУП
Бурхливий розвиток напівпровідникової електроніки почалося в кінці 50-х років. В даний час без напівпровідникової електроніки немислимі освоєння космосу і океанських глибин, атомна і сонячна енергетика, радіо і телемовлення, комп'ютеризація та автоматизація, дослідження. p align="justify"> Поява мікроелектроніки пов'язано з досягненнями в галузі фундаментальних і прикладних наук. Перші інтегральні мікросхеми, створені на початку 60-х років в результаті успіхів в області напівпровідникової і плівковою електроніки, постійно вдосконалювалися і в даний час є елементної базою для мікро мініатюризації радіоелектронної апаратури. p align="justify"> Основна перевага мікроелектронної технології - групові інтегральні методи технології, засновані на локально - структурних перетвореннях напівпровідникового матеріалу.
Особливістю сучасного етапу розвитку промислової електроніки є все більш тісна інтеграція її з електронікою і мікроелектронікою. Вироби напівпровідникової електроніки утворюють елементну базу обчислювальної техніки, автоматики, радіоелектроніки та силової перетворювальної техніки. p align="justify"> Широке впровадження напівпровідникової електроніки в усі сфери діяльності людини виділило її в самостійний розділ науки і техніки широким спектром галузей знань, кожна з яких складна для вивчення, а взаємозв'язки між областями є ще більш складними. Для успішного схемотехнічного проектування інженеру необхідно володіти якимось В«інтегрованим знаннямВ» з різних галузей науки і техніки, що охоплюють питання напівпровідникових матеріалів, проектування і виробництва напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем. Для глибокого розуміння роботи напівпровідникового приладу необхідно вміти висловлювати його основні електричні параметри через концентрацію домішок, вертикальну геометрію, топологію і т. д.
Володіння зазначеними знаннями є необхідною передумовою для грамотного вибору елементної бази та побудови пристроїв і систем на його основі.
. АНАЛІЗ ТЕХНІЧНОГО ЗАВДАННЯ
Аналізуючи технічне завдання можна зробити висновок, що для розробки пропонується транзистор великої потужності, високовольтний. У технічному завданні вказано велика напруга пробою переходу колектор - база. Для виготовлення використовують планарно-епітаксійних технологію. p align="justify"> високоомними область колектора доцільно отримати за допомогою вирощування епітаксійного шару, що дозволяє отримати транзистор з малою ємністю pn переходу колектор-база.
Для забезпечення ...
