Зміст
Введення
Вихідні дані
1. Розрахункова частина
1.1 Розрахунок коефіцієнта посилення напруги підсилювача
2. Статичний режим роботи вихідного каскаду
2.1 Вибір робочої точки транзистора
2.2 Розрахунок елементів фіксації робочої точки
2.3 Розрахунок ємнісних елементів
2.4 Розрахунок значення коефіцієнта посилення
3. Статичний режим роботи вхідного каскаду
3.1 Вибір робочої точки транзистора
3.2 Розрахунок елементів фіксації робочої точки
3.3 Розрахунок ємнісних елементів
3.4 Розрахунок значення коефіцієнта посилення
4. Розрахунок реально досягнутого в схемі значення коефіцієнта посилення разомкнутого підсилювача в області середніх частот
5. Розрахунок елементів ланцюга ООС
6. Побудова частотної характеристики M ОС (?)
7. Моделювання вихідного каскаду
8. Моделювання вхідного каскаду
9. Моделювання підсилювача без ООС
10. Моделювання підсилювача з ООС
11. Результати моделювання
12. Перелік елементів
Висновок
Введення
Підсилювачем називають пристрій, призначений для підвищення потужності вхідного сигналу. Перевищення потужності, що виділяється в навантаженні підсилювача, над потужністю джерела вхідного сигналу досягається за рахунок енергії джерел живлення. Малопотужний вхідний сигнал лише управляє передачею енергії джерела живлення в корисне навантаження. p align="justify"> Підсилювач являє собою в загальному випадку послідовність каскадів посилення, з'єднаних прямими зв'язками. У більшості підсилювачів присутні також зворотні зв'язки. Негативні зворотні зв'язки дозволяють поліпшити стабільність роботи підсилювача і зменшити частотні та нелінійні спотворення сигналу. p align="justify"> Підсилювачі знаходять широке застосування в обчислювальній техніці, зв'язку, експериментальної фізики, автоматиці і т.п.
У цій роботі проводиться проектування багатокаскадного підсилювача з зворотного негативного зв'язком. При проектуванні розраховуються статичні і динамічні параметри підсилювача, а потім проводиться його моделювання на ЕОМ з використанням програмного продукту MicroCap 9. br/>В
Рис.1. Схема n-каскадного підсилювача
Вихідні дані
Таблиця 1
№ варіантаТіп провідності транзістораU ВХm , мВR Г , ОмP
