Введення
Використання спеціальної технології виготовлення тонких шарів різної провідності на ізоляційної підкладці або цілеспрямована зміна провідності в певних зонах напівпровідникового матеріалу дозволило реалізувати і об'єднати різні електричні функції в єдиному технологічному процесі. При установці такого елемента в корпус з необхідними висновками отримують мікросхему (МС). Одна МС замінює кілька елементарних схем, виконаних на основі дискретних елементів. p align="justify"> В даний час використовують два різновиди технологічних процесів виготовлення МС: 1) тонкоплівкові процеси, 2) напівпровідникові процеси.
Так як тонкоплівкова технологія дозволяє виготовляти тільки пасивні елементи, а напівпровідникова - активні елементи, то доцільно використовувати їх комбінацію. Це призводить до створення гібридних інтегральних МС. Поняття плівкова технологія включає в себе процеси термовакуумного випаровування і катодного розпилення, також трафаретний друк. p align="justify"> мікросхема гібридний логічний сигнал
1. Аналіз схеми логічного елемента
На малюнку 1 представлена ​​принципова схема логічного елемента.
В
Рис. 1
Проведемо розрахунок для комбінації вхідних сигналів В«1101В», тобто згідно з прийнятими значеннями U вх1 < i align = "justify"> = U вх2 = U вх4 = U 1 > 3 В, а U вх3 = U 0 = 0,1 В.
Визначимо величину струму через резистор R1. Розглянемо всі можливі шляхи, по яких зможе протікати цей струм. У схемі тільки одне джерело напруги - джерело живлення +5 В. За цим всі постійні струми в схемі можуть протікати тільки в одному напрямку від шини +5 В до загальної шини. p align="justify"> Розділимо умовно схему на дві частини.
В
Рис. 2
В
Рис. 3
Проведемо розрахунок для комбінації В«1101В» у першій частині схеми (рис. 2)., тобто для випадку, коли на обидва емітера VT1 подано високу напругу відповідне логічній одиниці.
U ВХ1 = U ВХ2 > 3 В
Потенціал в точці А на базі VT1 буде дорівнює
U A = U БК1 + U БЕ2 ...
