Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків

Реферат Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків





Міністерство освіти и науки україни

державний вищий навчальний заклад

В«Ужгородський національний університетВ»

факультет романо-германської філології

кафедра англійської мови та літератури








реферат

з прочітаної літератури на англійській мові з фаху

на тему: В« експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків В»





Аспірант кафедри

Науковий керівник:

Доктор фізико-математичних наук,

професор






Ужгород 2011

Зміст


Вступ

. Рентгенівська и ультрафіолетова фотоелектронна спектроскопія

. Фотоемісійна спектроскопія з Кутового розділенням

. Спектроскопія оберненої фотоемісії (IPES)

. Рентгенівська емісійна спектроскопія (XES)

. Рентгенівська абсорбційна спектроскопія (РАС або XAFS)

. Оптичні спектроскопія

. Спектроскопія полного Струму шарувато крісталів при Електрон збудженні

. Вторинна електронна ЕМІСІЯ

Висновок

Література


Вступ


Електронна зонна структура E ( k ) є фундаментальні характеристики, что візначає більшість фізічніх властівостей твердих тіл (Наприклад, Явища переносу, оптичні й фотоемісійні (ФЕ) Властивості). Зонна структура (а самє Електронні стани в околиці уровня фермі E F ) такоже є одним з Головня факторів, что візначають Функціонування пріладів твердотільної електроніки. При цьом ВАЖЛИВО НЕ Тільки розташування Електрон станів по ЕНЕРГІЇ (зумовлюючи, Наприклад, ширину забороненої Зони), альо ї розташування ціх станів у k- просторі. Традіційнімі методами Дослідження незаповненіх високо лежачих станів є спектроскопія поглинання рентгенівськіх променів (XAS) [1], спектроскопія рентгенівськіх випромінювальних переходів (BIS) [1,2], спектроскопія характеристичностью ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ електронів внутрішніх оболонок (EELS) [1,3], оберніть ФЕ -спектроскопія (IPES) [1,4,5], спектроскопія діфракції низько ЕНЕРГЕТИЧНИХ електронів (ДНІ - VLEED) [6, 7], низько енергетична повторно-електронна емісійна спектроскопія (SEES) [8,9], рентгенівські емісійні спектри (XES) [10], низько енергетична спектроскопія полного Струму (ПТ) - TCS [5,11,12] и ее Різновид - спектроскопія проходження низько ЕНЕРГЕТИЧНИХ електронів (ПНЄ) - LEET [13-15]....


сторінка 1 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Інфрачервона спектроскопія і спектроскопія кругового дихроїзму. Методи виз ...
  • Реферат на тему: Спектроскопія комбінаційного розсіювання світла (раманівська спектроскопія)
  • Реферат на тему: Рентгенівська спектроскопія в медичній діагностиці
  • Реферат на тему: Методи спектрального аналізу. Ультрафіолетова спектроскопія
  • Реферат на тему: ЯМР-спектроскопія