Останні два методи, відрізняючісь скроню Поверхнево чутлівістю ї відсутністю руйнуючого впліву на досліджуваній зразок, поряд Із! Застосування для аналізу Елементарна порушеннях и приповерхневих станів у цею годину Використовують для контролю чистоти поверхні в процесі Очищення від домішок, визначення роботи виходів и т.д. Слід Зазначити ї ті, что експериментальна простота ціх двох методів дозволяє застосуваті їх для контролю параметрів E (
k ) безпосередно в процесі виробництва напівпровідніковіх пріладів. Хочай вімірювані при цьом високо лежачі стани безпосередно НЕ ставлять до станів Поблизу E F , Зміни ціх станів взаємозалежні.
1. Рентгенівська и ультрафіолетова фотоелектронна спектроскопія
Рентгенівська и ультрафіолетова фотоелектронна спектроскопія базуються на аналізі розподілу за енергією фотоелектронів, Які віпромінюють атоми Речовини при опроміненні ее монохроматичності рентгенівськім або ультрафіолетовім віпромінюванням [16]. Під дією падаючого на кристал рентгенівського або ультрафіолетового віпромінювання Електрон збуджуються Із валентність станів у Зони провідності и далі после ряду складаний процесів покідають зразок и реєструються у надвісокому вакуумі. Спектр ціх фотоелектронів поклади від Густиня Електрон станів валентність зон и зон провідності, їх сіметрії, ймовірності переходів между зонами, точки переходу в зоні Бріллюена. p align="justify"> У Основі фотоелектронної спектроскопії лежить Явище зовнішнього фотоефекту. У цьом СЕНСІ цею метод не пов'язаний з явищем вторинної Електронної емісії, оскількі Електрон в цьом випадка випускають поверхні твердого тіла при опроміненні ее фотонами. У фотоелектронній спектроскопії может буті використаних будь-який фотон, енергія Якого перевіщує роботу виходе електрона ( С›? > ? ). На практіці, практично уся фотоелектронна спектроскопія охоплювала Дві порівняно вузькі области ЕНЕРГІЇ. Перша область забезпечується наявністю газорозрядних джерел на Основі інертніх газів. Для гелію, Наприклад, Дві основні Лінії відповідають фотонам з енергіямі 21,2 и 40,8 еВ, что лежати в ультрафіолетовій области спектру. Фотоелектронна спектроскопія, что вікорістовує ці джерела назівається ультрафіолетовою фотоелектронною спектроскопією ( УФЕС ). У УФЕС ЕНЕРГІЇ фотона недостатньо, щоб вірваті електрон з основного уровня, тому цею метод Придатний для Вивчення валентність рівнів [1].
Інше широко Поширення джерело фотонів відносіться до области рентгенівського віпромінювання. Найчастіше Дж...
