Зміст
Введення
1. Технологія виготовлення напівпровідникових пластин
1.1 Вимоги до напівпровідникових подложкам
1.2 Характеристика монокристалічного кремнію
1.3 Обгрунтування застосування монокристалічного кремнію
1.4 Технологія отримання монокристалічного кремнію
1.4.1 Отримання кремнію напівпровідникової чистоти
1.4.2 Вирощування монокристалів
2. Механічна обробка монокристалічного кремнію
2.1 Калібрування
2.2 Орієнтація
2.3 Різка
2.4 Шліфування й полірування
2.5 Хімічне травлення напівпровідникових пластин і підкладок
3. Операція поділу підкладок на плати
3.1 Алмазне скрайбірованіе
3.2 Лазерне скрайбірованіе
4. Розламування пластин на кристали
5. Формування p - n переходів
6. Приєднання металевих висновків до пластині напівпровідника
7. Збірка і герметизація
8. Випробування приладів
Висновок
Список використаної літератури
Введення
В даному курсовому проекті буде розглянуто технологічний маршрут виробництва напівпровідникових компонентів. Технологічний маршрут - це послідовність технологічних операцій застосовуються для виробництва пластин, застосовуваних для виготовлення ПП і ІМС.
Умовно, весь виробничий цикл проходить чотири основних стадії, виділених на підприємстві в окремі підрозділи:
) виготовлення напівпровідникових пластин, що включає в себе наступні технології: шліфування кремнієвих пластин, дифузійні процеси формування шарів напівпровідникових приладів;
) установка кристалів в крісталлодержателя і монтаж металевих висновків до пластин напівпровідника.
) Збірка і герметизація готових ПП і ІМС;
) Перевірка якості та електричних характеристик компонентів.
Таким чином, виробництво досить складне і має велику кількість технологічних переходів.
1. Технологія виготовлення напівпровідникових пластин
1.1 Вимоги до напівпровідникових подложкам
Напівпровідники у вигляді пластин або дисків, вирізаних з монокристалів, називаються підкладками. У їх обсязі і на поверхні методами травлення, окислення, дифузії, епітаксії, імплантації, фотолітографії, іншими технологічними прийомами формуються елементи мікросхем електронних приладів і пристроїв.
Якість поверхні підкладки визначається її мікрорельєфом (шорсткістю), кристалічним досконалістю поверхневих шарів і ступенем їх фізико-хімічної чистоти. Поверхню підкладки характеризується не площинністю і не паралельністю. Високі вимоги пред'являються і до зворотної - неробочий стороні підкладки. Неоднакова і нерівноцінна обробка обох сторін підкладки призводить до додаткових залишковим механічним напруженням і деформації кристала, що обумовлює вигин пластин.
Після механічної обробки в ...
