1. Вибір умов експлуатації
підсилювач сигнал інтегральний мікросхема
В даному курсовому проекті розробляється підсилювач слабких сигналів у вигляді інтегральної мікросхеми (ІМС) в корпусі.
Інтегральна мікросхема використовується як мікрофонних і телефонних підсилювачів в радіоприймальній апаратурі, а також для посилення слабких сигналів.
Згідно ГОСТ 17230-71, кращим є наступний ряд номінальних значень напруги живлення ІМС: 1,2; 2,4; 3,0; 4,0; 5,2; 6,0; 9,0; 12,0; 15,0; 24,0; 30; 48; 100; 150; 200 В. На схемі електричної принципової зазначено, що напруга живлення розроблюваної інтегральної мікросхеми становить 6,0 В, що відповідає вимоги ГОСТ 17230-71.
Габаритні та приєднувальні розміри, зовнішній вигляд і маса ІМС повинні відповідати вимогам, встановленим у технічній документації на ІМС.
ІМС повинні зберігати параметри в межах норм, встановлених технічною документацією відповідно з групою жорсткості згідно ГОСТ16962-71 в процесі і після впливу механічних навантажень.
ІМС повинні зберігати параметри в межах норм, встановлених у технічній документації, в процесі і після впливу на них наступних кліматичних факторів: температури повітря з верхніми значеннями +55, +70, +85, +100, + 125, +155? С і нижніми значеннями - 10, - 25, - 40, - 45, - 55, - 60? С, зміни температур від верхнього до нижнього меж; відносної вологості навколишнього середовища 98% при температурі 35? С. ІМС повинні допускати експлуатація після їх транспортування при температурі - 50? С.
Для інтегральної мікросхеми підсилювача слабких сигналів, що розробляється в даному курсовому проекті встановимо температуру повітря у верхньому значенні на рівні плюс 100? С, в нижньому значенні - мінус 40? С.
Мінімальне напрацювання ІМС в зазначених режимах і умовах повинна бути не менше 15 000ч.
Термін зберігання для ІМС в корпусному виконанні, розміщених в упаковці підприємства-виробника, в опалювальному приміщенні не менше шести років. Термін зберігання обчислюють з моменту виготовлення.
. Вибір технології виготовлення
У конструкції підсилювача слабких сигналів, що розробляється в рамках даного курсового проекту, присутні навісні компоненти, такі як безкорпусні мікросхема К774УН3-1, а також конденсатори - було прийнято рішення виготовляти дану мікросхему по гібридної технології.
Гібридна технологія дуже гнучка. Вона дозволяє відносно швидко створювати електронні пристрої, що виконують досить складні функції.
Елементи плівкових і гібридних ІС та микросборок (резистори, конденсатори, індуктивності) виконуються на поверхні підкладки у вигляді плівок резистивних, провідних і діелектричних матеріалів.
При виготовленні гібридних ІС використовуються як тонкі, так і товсті плівки. Товстоплівкові ІС дешевше. Для організації їх виробництва потрібні менші капітальні витрати (простіше обладнання, менш жорсткі вимоги до виробничих приміщень). Крім того, товстоплівкові ІС мають більшу механічною міцністю, мають кращу корозійну і теплостійкість, підвищену перевантажувальну здатність елементів, а також менші паразитні ємності межсоединений і слабке взаємо...
