Зміст
Вступ
теоретичності ЧАСТИНА
.1 Тунельна Перехід
.2 Одноелектронній ящик та ланцюжок
.3 Одноелектронній транзистор
.3.1 Схемотехнiчній Розгляд роботи ОЕТ
.4 Особливості ВАХ одноелектронніх пріладів
практичність ЧАСТИНА
.1 Переведення Даних у атомного систему одиниць
.2 Порiвняльній аналiзу значень потенцiйної енергiї U (p)
.3 Залежність змінення ЕНЕРГІЇ зарядженої краплі від ексцентрісітету
.4 Розпад краплі та потенційна енергія новоутвореніх кластерів
.5 Залежностi критичного заряду за Релеєм QR (R)
одноелектронне тунелювання схематично
Вступ
Вокорістання нанорозмірніх ЕЛЕМЕНТІВ надає принципова новий рівень розвітку електроніки. Для Отримання таких структур поребується НЕ тiльки Надзвичайно Складна нанотехнологiя, альо такоже i рiшенням Деяк фундаментальних проблем фiзікі, включаючі скроню чутлівiсть транспортних властівостей до малих варiацiй розмiрiв i форми квантових точок. Тому Дуже ВАЖЛИВО Розвиток одноелектронніх пріладiв, здатн до операцiй з найбiльш можливіть швидкости. Різноманітні одноелектронні прилади можна отріматі при збільшенні кількості тунельно-звязаних наностровів. Логічні схеми, побудовані на базі одноелектронного параметрона в якості базової коміркі мают систему трьох кластерів. Електрон может тунелюваті мiж ними, віклікаючі полярізацiю комiркі. З ціх комiрок может буті побудованій ланцюжок з ємнiснім зв язком, Який Виконує логiчнi операцiї з великою швідкодiєю. Iншим перспективним! Застосування ОЕТ могут буті нейромережi, метою якіх є обробка найскладнiшої iнформацiї, Наприклад, з розпiзнавання образiв. Швідкодiя для нейронних мереж НЕ настiлькі актуальна, потім на внутрішню можна досягті значної щiльностi упакування.
У курсовій работе розглянуті одноелектронні прилади та їх принцип роботи. Такоже досліджені Властивості Зміни потенційної ЕНЕРГІЇ кластера від его формува. Згідно задачі Релея Щодо нестійкості зарядженої краплі, БУВ визначеня критичний заряд.
1. Теоретичності ЧАСТИНА
.1 Тунельна Перехід
Робота одноелектронніх пріладів конструктивно засновалося на Тунельна переході, Який являє собою тунельний контакт мiж двома масивною МЕТАЛЕВИЙ електрода (виготовленя з одного металу,? 1 =? 2), вiддiлення один вiд одного тонким iзолятором (рис. 1.2 ). Такий тунельний перехiд, є конденсатором, и может буті охарактеризування Тунельна опором Rt i ємнiстю C. Конденсатор может буті зарядженості зарядом Q, як показано на рис. 1.2a.
Рис.1.2 Одноелектронне тунелювання через Невеликий тунельний контакт
оскiльки Iснує можливiсть тунелювання, Електрон почнут переходіті через контакт праворуч налiво. У результаті переходу Першого електрона, змiна вiльної енергiї конденсатора дорiвнює змiнi его електростатічної енергiї:
(1.3)
де Ec? e2/2C - типова одноелектронна зарядова Енергiя (Фактично це Енергiя ...
