Курсовий проект
з дисципліни Проектування і конструювання напівпровідникових приладів та ІМС
Тема
Проектування двухвходового КМОП-схеми дешифратора 2 в 4
Розробив студент
А.А. Скиданов
Завдання на курсовий проект
двовходовий схема дешифратор
з дисципліни Проектування і конструювання напівпровідникових приладів та ІМС
Тема проекту Проектування КМОП дешифратора 2 в 4
Студент групи МТЕ - 061 Скиданов Олексій Олександрович
Виконати наближений розрахунок електричних параметрів схеми за технічним завданням. На основі типового технологічного процесу розрахувати електричні параметри компонентів топологічного креслення схеми. Провести схемотехнічний аналіз за допомогою програми T-Spice, пересвідчившись у дотриманні заданих технічних умов.
Введення
КМОП (комплементарна логіка на транзисторах метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технологія побудови електронних схем. У технології КМОН використовуються польові транзистори з ізольованим затвором з каналами різної провідності. Відмінною особливістю схем КМОП в порівнянні з біполярними технологіями (ТТЛ, ЕСЛ та ін) є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (в більшості випадків можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів). Відмінною особливістю структури КМОП в порівнянні з іншими МОП-структурами (N-МОП, P-МОН) є наявність як n-, так і p-канальних польових транзисторів; як наслідок, КМОП-схеми мають вищу швидкодію і менше енергоспоживання, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки.
Переважна більшість сучасних логічних мікросхем, в тому числі, процесорів, використовують схемотехніку КМОП.
1. МДП-транзистори, використання МДП-транзисторів
.1 Загальні відомості про МДП транзисторах
МДП-транзистор має 4 електроди, які називають витоком, стоком, затвором і підкладкою. Принцип дії МДП-транзистора заснований на ефекті зміни електропровідності поверхневого шару напівпровідника між стоком і витоком під дією напруги, прикладеної до керуючого електрода (затвору), відокремленого від поверхні напівпровідника тонким діелектричним шаром. Ділянка напівпровідника з мінливих електропровідністю називають каналом.
Існують два різновиди МДП-транзисторів: з вбудованим каналом і індукованим каналом. У МДП-транзисторі з індукованим каналом при нульовій напрузі на затворі канал відсутня. Якщо збільшувати напругу на затворі (по модулю), то при деякому значенні напруги на затвор-витік U 0, званому пороговим напругою на поверхні напівпровідника буде индуцироваться інверсний шар, тип електропровідності якого буде збігатися з типом електропровідності стоку і витоку. В результаті утворення цього шару області стоку і витоку виявляються з'єднаними тонким токопроводящим каналом і в зовнішній ланцюга виникає струм...
