Міністерство освіти Російської Федерації
Брянський державний технічний університет
Кафедра: «ЕРЕіЕС»
Хімічне осадження з газової фази
Виконав: студент гр. 09-МіТЕ
КУФТА І.
Прийняв: доцент Некрасова М.Ю.
Брянськ 2013
Зміст
ВСТУП
МЕХАНІЗМИ протікання процесів ХОГФ
Методи CVD (ХОГФ)
ТЕХНОЛОГІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕСІВ ХОГФ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ШАРІВ ІМС
СКЛАД ОБЛАДНАННЯ ХОГФ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ШАРІВ ІМС
ФУНКЦІОНАЛЬНІ ВЕРСТВИ ІМС, осідає у ПРОЦЕССАХ ХОГФ
епітаксійних монокристалічного ПЛІВКИ КРЕМНІЮ (Si), НІМЕЧЧИНА (Ge)
ХОГФ на «ЗАТ КРЕМНІЙ ЕЛ»
ВИСНОВОК
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
ВСТУП
Осадження з газової фази (vapor deposition) можна визначити як конденсацію газоподібних (пароподібні) елементів або сполук з утворенням твердих опадів. Газова фаза може мати той же склад, що і осад. Це звичайний випадок фізичного осадження з газової фази (ФОГФ або PVD - physical vapor deposition), при якому покриття виходять тільки за рахунок конденсації речовини. До ФОГФ відносяться процеси термічного вакуумного випаровування і іонного розпилення матеріалів.
При хімічному осадженні з газової фази (ХОГФ або CVD - chemical vapor deposition) склад газовий фази і склад осаду істотно розрізняються. Летюча з'єднання осаждаемого елемента подається до підкладки, де піддається термічному розкладанню (піролізу) або вступає в відновлювальні хімічні реакції з іншими газами (або парами); при цьому нелеткі продукти реакцій осідають на поверхню підкладки. Опади утворюються в результаті великої кількості хімічних реакцій, що протікають у газовій фазі поблизу від поверхні підкладки і на самій поверхні підкладки, що значною мірою ускладнює процес осадження, але робить його набагато більш універсальним і гнучким. Процеси ХОГФ іноді називають реактивним осадженням з газової (парогазової або паровий) фази (reactive deposition).
ХОГФ - універсальний і енергетично економічний (щодо ФОГФ) метод атомно-молекулярного формування покриттів шляхом контрольованого осадження речовини у вигляді окремих атомів або молекул в цілях отримання плівок з необхідними властивостями (заданої щільності, товщини, орієнтації, складу і т.д.).
При ХОГФ матеріал осідає у вигляді порошку, якщо хімічна реакція утворення його часток у твердому стані протікає тільки в газовій фазі, і у вигляді плівкового покриття, якщо реакція утворення твердих частинок матеріалу відбувається на поверхні підкладки. Очевидно, що для отримання функціональних шарів ІМС придатна тільки друга група процесів хімічного осадження з газової фази.
МЕХАНІЗМИ протікання процесів ХОГФ
При ХОГФ шари загрожених матеріалів утворюються в результаті складних многомаршрутних і багатостадійних гетерогенних хімічних реакцій на межі розділу: газ (пара, газорозрядна плазма) - тверде тіло (підкладка, пластина з вкриває функціональним шаром), перебіг яких визначається як процесами ...
