Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів

Реферат Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів





дить малюнка, він повинен бути виконаний за першим класом точності. У ТЗ зазначено, що загальна трудомісткість виготовлення повинна бути мінімальною. У виріб повинні бути максимально застосовані уніфіковані складові частини.


3. Конструкторська частина


. 1 Опис електричної принципової схеми ПУ


Схема електрична принципова блоку живлення лампи ртутної дугового ДРШ - 100-2 представлена ??на РКФ ДП. 411733.100 Е3.

Розглянемо стабілізатор напруги на кремнієвому стабілітроні, який має простий пристрій, мала кількість деталей і з успіхом може застосовуватися тоді, коли струм навантаження не перевищує середнього значення струму, що протікає через стабілітрон і знаходиться в межах між IСТ.МИН і IСТ.МАКС. При використанні стабілітронів типу Д808 ... Д814 або їх аналогів 1075Z4 ... 1094Z4, струм навантаження не повинен перевищувати 20 ... 30 мА. При великих токах навантаження необхідні більш потужні стабілітрони.


Малюнок 3.1 - Стабілізатор на кремнієвому стабілітроні


Недоліком найпростішого стабілізатора на кремнієвому стабілітроні є втрата частини напруги на обмежувальному резисторі R1, що призводить до зниження ККД стабілізатора. Крім того, у цього стабілізатора порівняно невеликий коефіцієнт стабілізації і значне вихідний опір. Тому у всіх випадках, коли потрібно отримати стабілізовану напругу на навантаженні при великому струмі, протекающем через неї, застосовують транзисторні стабілізатори напруги. У якості такого без істотного збільшення числа елементів і ускладнення схеми використовують транзисторний фільтр зі своєрідною стежить системою, яка в залежності від зміни напруги на вході фільтра або на його виході за рахунок зміни струму навантаження змінює опір транзистора таким чином, що напруга на виході цього фільтра -стабілізатора залишається незмінним.

Схема транзисторного стабілізатора напруги зображена на малюнку 3.2 а. До неї входить розглянутий вже стабілізатор на кремнієвому стабілітроні VD з обмежувальним резистором R1. Навантаженням стабілізатора служить базова ланцюг транзистора VT, в еммітерной ланцюг якого включена основне навантаження Rн.


Рисунок 3.2 - Схеми транзисторних стабілізаторів напруги


Емітерний і колекторний струми транзистора в десятки разів перевищують струм бази, причому IеIк. Тому при токах бази, рівних одиницям міліампер, в колекторної і емітерний ланцюгах протікають струми, вимірювані десятками і сотнями міліампер (мА).

Розглянемо роботу транзисторного стабілізатора. З малюнка 4.2 а видно, що напруга на навантаженні (UH) відрізняється від напруги на стабілітроні (UСТ) на напругу, падаюче на емітерний перехід UЕБ транзистора VT, т. Е. UH=UCT-UЕБ. Якщо напруга на вході стабілізатора збільшиться, воно відразу передасться і на його вихід, що призведе до збільшення струму, що протікає через навантаження IH, і напруження UH. Оскільки напруга на стабілітроні практично не змінюється, зростання напруги на навантаженні викличе зменшення напруги UЕБ, струму бази транзистора VT і збільшення опору переходу коллектор-емітер. Внаслідок збільшення опору переходу коллектор-емітер на цьому переході буде більше падіння напруги, що спричинить за собою зменшення напруги на навантаженні. При зменшенні вхідної напруги, напруга UЕБ підвищиться, що спричинить за собою збільшення струму бази, зменшення опору переходу коллектор-емітер і підвищення напруги на цьому переході.

Таким чином, в розглянутому стабілізаторі напруги транзистор VT спільно з опором навантаження RH утворює дільник вхідної напруги, причому опір транзистора змінюється отже компенсуються всякі зміни вхідної напруги. Такий стабілізатор називають компенсаційним, а транзистор VT із змінним опором колекторного переходу - регулюючим.

Вихідний опір цього стабілізатора складає декілька Ом, а коефіцієнт стабілізації приблизно такий же, як у найпростішого стабілізатора, виконаного на резисторі R1 і стабілітрон VD. Але так як струм навантаження через обмежувальний резистор не протікає, а опір постійному струму переходу колектор - емітер транзистора VT мало, стабілізатор напруги на транзисторі володіє більш високим ККД у порівнянні зі стабілізатором на кремнієвому стабілітроні. Якщо замість VT використовувати складовою транзистор, що з малопотужного транзистора VT1 і транзистора великої потужності VT2 (рисунок 4.2 б), то можна здійснити ефективну стабілізацію напруги при токах, що протікають через навантаження, вимірюваних амперами.

При такому включенні VT1 і VT2 в якості струму бази потужного транзистора VT2 використовується струм емітера малопотужного (або середньої потужності) транзистора VT1, а струмом навантаження стабілітрона VD є струм бази VT1, що у десятки разів менше струму бази VT2.

Важливою особливістю т...


Назад | сторінка 10 з 35 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Схема транзисторного компенсаційного стабілізатора напруги
  • Реферат на тему: Розробка блоку управління стабілізатора змінної напруги
  • Реферат на тему: Дослідження лінійного стабілізатора напруги на транзисторах
  • Реферат на тему: Розробка стабілізатора змінної напруги
  • Реферат на тему: Проектування моделі стабілізатора постійної напруги підвищувального типу