У схему входять верхній і нижній блоки пропускання, елементи вакуумної установки, монохроматор з приймачем випромінювання. Світловий потік від лампи розжарювання 1 блоку джерела випромінювання падає на сферичне дзеркало 2, потім? на плоске дзеркало 3, направляюче зображення нитки лампи на площину напилюваного зразка 5 (свідка), розташованого всередині вакуумної камери. Випромінювання потрапляє в камеру через вхідний вікно 4, проходить зразок і через вихідне вікно 6 камери потрапляє на лінзу 7 нижнього блоку пропускання. Далі промінь прямує плоским дзеркалом 8 через захисне скло 9 на лінзу 10, формує зображення нитки лампи на вхідній щілині 12 монохроматора. Пройшовши вхідну щілину монохроматора, випромінювання потрапляє на поза осьове параболічне дзеркало 13 і відхиляється їм на плоску дифракційну решітку 14. дифрагованим випромінювання від решітки потрапляє знову на дзеркало 13 і фокусується плоским дзеркалом 15 на вихідну щілину 16 монохроматора. Після вихідної щілини випромінювання потрапляє безпосередньо на катод фотоелектричного помножувача. Усунення заважає випромінювання досягається за допомогою відрізати фільтрів 11, які поміщаються перед вхідною щілиною 12.
Для забезпечення високої енергетичної ефективності випромінювання у всьому діапазоні роботи комплексу 250? 1100 нм передбачені дві змінні дифракційні решітки з 1200 і 600 штрих/мм і максимумами випромінювання на ? =300? 650 нм. Дані про величину зворотного лінійної дисперсії монохроматора з обома рештками представлені в таблиці 2.2.
Таблиця 2.2 - Зворотній лінійна дисперсія монохроматора СФКТ - 751В
?, нмРешетка, штрих/мм.Обратная лінійна дисперсія, нм/мм250 350 450 50012003.0 2.9 2.9 2.9450 550 650 850 950 1000 11006005.9 5.9 5.9 5.8 5.7 5.7 5.7
Дані про фільтрах, решітках і фотоприймачах монохроматора комплексу СФКТ - 751В наведені в таблиці 2.3.
Таблиця 2.3 - Параметри елементів комплексу СФКТ - 751В
?, нмРешетка штрих/ммОтрезающіе фільтриФотопріемнік250 - 5001200УФС1 (250 - 380 нм) БС4 (360 - 500 нм) ФЕУ - 39А ФЕУ - 100 (від 350 - 500 нм) 450 - 1100600ЖС16 (480 - 920 нм) КС15 (670 - 1200 нм) ФЕУ - 100 (до 800 нм) ФЕУ - 62 (600 - 1100 нм)
Вхідна і вихідна щілини монохроматора служать для зміни сигналу, у підсумку надходить на фотоприймач. Однак слід пам'ятати, що при збільшенні щілини збільшується спектральний інтервал, який можна оцінити за формулою:
(2.2)
де S - ширина розкриття щілини; d?/dl - зворотна лінійна дисперсія.
Ефективна ширина щілини і напруга живлення на фотоприймачі і лампі слід підбирати, враховуючи конкретні вимоги роботи.
Очищення в середовищі аргону здійснювалася при наступних параметрах протягом 15 хв (таблиця 2.4):
Таблиця 2.4 - Параметри очищення вакуумної камери низькоенергетичним іонним джерелом типу АИДА
Склад покритіяУскоряющее напругу, ВТокіо катода, Атока анода, АZrO 2 170171,6Al 2 O 3 70161,9TiO 2 110171,75ZnS85171,3SiO 2 60161,3ZrO 2 + SiO 2 170171,6
Осадження покриттів здійснювалося методом електронно-променевого випаровування при наступних параметрах (таблиця 2.4):
Таблиця 2.5 - Параметри осадження при випаровуванні матеріалів
Склад покритіяУскоряющее напругу, кВТок розжарення катода, маток емісії, мАДавленіе камери, ПаZrO 2 61650 6 · 10 - 3 Al 2 O 3 1211140TiO 2 61160ZnS6810SiO 2 +61139
На малюнках 2.5 - 2.10 зображені покриття на підкладках з кремнію отримані методом електронно-променевого випаровування.
Рисунок 2.5 - Одношарове покриття ZrO 2
Малюнок 2.6 - Одношарове покриття ZnS
Малюнок 2.7 - Одношарове покриття Al 2 O 3
Малюнок 2.8 - Одношарове покриття TiO 2
Малюнок 2.9 - Одношарове покриття SiO 2
Малюнок 2.10 - п'ятишаровий покриття ZrO 2 + SiO 2
3. Дослідження спектральних характеристик багатошарових покриттів на основі тугоплавких оксидів і визначення їх оптичних параметрів
. 1 Визначення фотометричних параметрів одношарових і багатошарових покриттів на основі тугоплавких оксидів
