змінніх y = qa /? записавши
(2.18) де
(2.19)
фурє-образ щільності розподілу електрона ( p=e ) або діркі ( p=h ) у n -му стані; та?- Хвильовий вектор и частота фонона, ? ( T ) - числа Заповнення фонони станів; ,; m e , m h и m ex = m e + m h - масі, відповідно, електрона, діркі и ексітона; ? - величина, что враховує поздовжньому релаксацію ексітонів. Розраховані залежності Функції ексітон-фононної взаємодії від Хвильового вектора фонона показані на малюнках
Рис. 5. Вигляд Функції ексітон-фононної взаємодії для різніх Напівпровідників: а) для ізотропного йонного кристалу CdS, б) для шаруватого кристалу InSe
Аналізуючі малюнки можна Побачити, что максимум Функції ексітон-фононної взаємодії досягається при різніх значень y в досліджуваніх напівпровідніках. У випадка InSe смороду є меншим чем для CdS. Звернувши на це Рамус можне сделать припущені, что Вплив ексітон-фононної взаємодії на функцію форми ексітонної Смуги поглінання буде більшім для іншого напівпровідніка.
Результати розрахунку Функції форми ексітонного поглінання зображені на малюнках підтверджують данє припущені.
Рис. 6 Функції форми ексітонної Смуги поглінання (n=1): а) для CdS, б) для InSe
Рис. 7 Функції форми ексітонної Смуги поглінання (n=2): а) для CdS, б) для InSe
Рис. 8 Функції форми ексітонної Смуги поглінання (n=3): а) для CdS, б) для InSe
З рисунків видно, что ексітон фононний Взаємодія зсуває максимум ексітонної Смуги поглінання убік менших енергій відносно нульового значення Обчислення за формулою Еліота, что НЕ враховує ексітон фононний взаємодію, особливо помітнім цею Вплив є для найніжчого ексітонного стану ( n=1 ) у випадка CdS. Температурний Вплив проявляється у збільшенні напівшіріні Функції форми ексітонного поглінання та. Внаслідок незмінності ее площади до Зменшення висота максимуму Функції. Із збільшенням номеру ексітонного уровня температурні впливи почти НЕ спостерігаються.
Вікорістовуючі факт, что інтенсівність ексітонного поглінання при переході у стан з Головня квантове число n , оберніть пропорційна до n 3, мною побудовали схематично спектр ексітонного поглінання у досліджуваніх напівпровідніках CdS та InSe. Тут криві Лінії є графікамі суми Функції S 1, S 2 і S 3 при різніх температурах, вертикальні Прямі показують положення максімумів переходу без урахування ексітон-фононної взаємодії, а ТРИКУТНИК позначено експериментально візначені положення ексітонніх ліній.
Рис. 9. Спектр ексітонного поглінання у CdS
Рис. 10. Спектр ексітонного поглінання у InSe
Видно, что ексітон фононний Взаємодія зміщує ексітонні Смуги у БІК менших енергій, такоже величина зміщення є різною для переходів у Різні ексітонні стани и по-різному покладів від температури. Такоже спостерігається зміна висота максимуму Функції форми ексітонного поглінання та напівшіріні Смуги. Опісані температурні Зміни у випадка CdS суттєві, а у InSe - значний слабші.
Опісані вищє Зміни ексітонного спектру поглінання у Розглянуто напівпровідніках CdS та InSe можна трактуваті Наступний чином для практичного! застосування: Пристрої опто-електронної техніки побудовані Із використанн шаруватого напівпровідніка InSe будут Менш чутлівімі до температурних вплівів, чем Пристрої побудовані Із використанн йодного напівпровідніка CdS, что в свою черго забезпечен надійну роботу Першів.
Висновки
1. Опрацьовано теорію ексітон-фононної взаємодії у іонніх напівпровідніках та виконан розрахунки спектральних и температурних залежних Функції форми ексітонної Смуги поглінання.
2. Встановл, что
Ексітон фононний Взаємодія зміщує ексітонні Смуги у БІК менших енергій;
величина зміщення різна для переходів у Різні стани, что может буті причиною Порушення серіальніх закономірностей у ексітонніх спектрах;
величина зміщення по-різному покладів від температури. При цьом змінюється такоже висота максимуму та напівшіріні Смуги.
3. У випадка CdS температурні Зміни суттєві, а у InSe - значний слабші. Це свідчіть про ті, что робота устройств, Які Працюють у ексітонній області поглінання, Виконання на Основі CdS буде чутлівішою до температурних змін, чем у випадка Виконання на Основі InSe.
Література
1. Екситони/Под ред. Е.І. Рашба, М.Д. Струджа.- М: Наука, 1985. - 616 с.
2. Бродін М.С., Блонський І.В. Екситон...
