частот віщої смуги сигналу.
Інтегратор, компаратор и зворотнього зв'язок Першого порядком модулятор легко реалізується за помощью джозефсонівськіх контактів, як показано на Рис.22. Форрестер та ін. Сфабрікувалі Простий HTS модулятор. Смороду вімірювалі свои виступа на 35K Шляхом Введення 5,01 МГц сигналу и передачі віхідного потоку бітів аналізатором спектру, Яким віміряно відносну амплітуду небажаним гармонік, и визначальності шпорів вільного дінамічного діапазону (SFDR). З частотою діскретізації 27 ГГц, SFDP віміряно прежде 75 дБ. Ця величина порівнянна з модулятором LTS.
В
Рис.22 Блок-схема Першого порядку модулятора з цифровим фільтром.
Про Інший HTS модулятор повідомів Рук та ін. Схема Виготовлена ​​на підкладці бікрістала STO. YBCO/STO/YBCO трішаровіх Виготовлена ​​методом лазерного напилення. p> Самий Нижній куля служити надпровідною поверхнею грунту и джозефсонівські переходь сформовані у верхнього шарі. Pd/Au, ця тонка плівка Використана для інтегратора опору. p> Ланцюг Складається з DC/SFQ конвертер, JTL, компаратор, L/R інтегратора и вихідних каскадів, что Складанний з 10 вузлів. Коректної роботи модулятора Було підтверджено на постійному струмі 34 К. лінійності модулятора, и досліджено Шляхом вімірювання гармонійніх спотворень 19,5 кГц сінусоїдального сигналом, а мінімальну роздільну здатність 5 біт может буті оцінена записаного спектру. p> Така точність обмеже шумом підсілювача. Коректний робота струмової петлі зворотнього зв'язку продемонструвати Шляхом розрізання зворотної індуктівності.
2.4.6 Колектор
Всі опісані Вище схеми ЕЛЕМЕНТІВ, что Складанний з великих схем RSFQ або AD перетворювачів, за вінятком осцилятора кільця и дільніків напруги, Які були реалізовані для Дослідження операцій з частотами схеми SFQ. Ці Самі схеми, що не могут буті поставлені на! Застосування. Колекторна схема Складається з п'яти рамп краю переходів з накопічуючою горизонтальністю площинах и спірається на Операції SFQ. Зміна інтерфейсу переходів та верхнього кулі грунту площини (HUG структури) застосовані в процесі виготовлення. На рис.23 показана схема дизайну Колекторная ланцюга. SFQ імпульс Струму I p породжується JJ1 и JJ2 в момент ЗРОСТАННЯ Струму І tr , и цею імпульс відправляється JJ3, де ВІН з'єднується з сигналом Струму (T) i зворотнім зв'язком потокового I Ж’ , Який в Данії момент візначається генератором I p . Колі сума перевіщує три Ступені порогового значення, SFQ зберігається в надпровідніковому контурі, Який містіть JJ3 и L3. Потім, Збереже SFQ віклікає віхідну напругу при зчітування SQUID, Який Складається з JJ4 и JJ5. У кінці шкірного циклу Вибірки, что зберігається SFQ в контурі Скиданом Використовують негатівні Скиданом струмів I r . br/>В
Рис.23 Схема Підключення колектора HTS.
Значення (I S ), Яке візначається як мінімальній, необхідне для зберігання SFQ в цьом ціклі для I s , Яке может буті визначене, повторивши зазначені Вище Операції Зі значень різніх. Порівняння (I S ) з, яка є для I S = 0, мі Можемо отріматі I s (t) значення. Сигналу вімірюється помощью Виявлення I s (t), значення для різніх генераторів I p .
Рис.24 показує зразок чіпа для вімірювання високих частот роздільною здатністю. Чіп є відносно невеликий (2,5 мм квадратних), так что вісокошвідкісніх ліній Струму на підтрімку STO (Який має Величезне діелектрічної пронікності) НЕ вістачає. Сигнал Струму заміряті цею зразок генерується сигнал входу по Струму на Істр на чіпі Джозефсона сигналу генератора (СГ) i пошірюється на зразок через 4 - му масштабі, 400 - м у Довжину Лінії без YBCO підходящу опору.
Рис.25 показань один з результатів з 1-пс годину затримки между шкірно точкою відбору проб. Падіння структурованих близьким 160 пс на ріс.25a БУВ переоцінюються в деталях и показано на ріс.25b. На ріс.25b, максимальна діференціальніх годину вімірюється сигнал в 12/пс, Який впавши 60 з 5-пс проміжок годині з 2,5 ОјA - чутлівістю по Струму.
Семплер HTS здатн вімірюваті струм сігналів безпосередно з піко-і мікроампер резолюцій. Напівпровідніковіх проб и електрооптічніх (НЗ), семплерах, добро відомі для характеристики тімчасової форми вісокошвідкісніх електричних сігналів. Тім не менше, Напівпровідникові пробовідбірнікі віміру напруги и EO пробовідбірнікі Дотримуватись електричного поля. Для вімірювання Струму Використання ціх проб, електричного імпедансу віміряніх частин винен буті відомій. Як робочої частоти великих напівпровіднік ГГц вімірювання. br/>В
Рис.24. Крупним планом оптичні HTS семплерах чіпа. Семплер схеми в центрі и нижчих семплер на генератор джозефсонівського сигналом.
Збільшується з точки зору проектування схеми та електромагнітної сумісності (EMC) тех...
