собою опір емітерного переходу, до якого додається опір емітерний області. Подібно до цього є-ється сумою опорів колекторного переходу і колекторної області, але останнє дуже мало в порівнянні з опором переходу. А опір є поперечний опір бази.
У схемі на рис. 6-1, а посилене змінну напруга на виході виходить від деякого еквівалентного генератора, включеного в ланцюг колектора; ЕРС цього генератора пропорційна струму емітера.
Еквівалентний генератор треба вважати ідеальним, а роль його внутрішнього опору виконує опір. Як відомо. ЕРС будь-якого генератора дорівнює добутку його струму короткого замикання на внутрішнє опір. У даному випадку струм короткого замикання дорівнює, так як при, тобто при короткому замиканні на виході. Таким чином, ЕРС генератора дорівнює. p> Замість генератора ЕРС можна ввести в схему генератор струму. Тоді виходить найбільш часто застосовувана еквівалентна схема (Рис. 6-1, б). У ній генератор струму створює струм, рівний. Значення первинних параметрів приблизно наступні. Опір, становить десятки Ом, - сотні Ом, а - сотні кіло і навіть одиниці Меган. Зазвичай до трьом опорам в якості четвертого власного параметра додають ще. Розглянута еквівалентна схема транзистора придатна тільки для низьких частот. На високих частотах необхідно враховувати ще ємності емітерного і колекторного переходів, що призводить до ускладнення схеми.
В
ОІIБ
В
r Бо r ко
r ЕО
В В
E 1 E 2
Рис. 6-2. Еквівалентна Т-подібна схема транзистора, включеного за схемою ОЕ
Еквівалентна схема з генератором струму для транзистора, включеного за схемою ОЕ. показана на рис. 6-2. У ній генератор дає струм, а опір колекторного переходу по порівнянні з попередньою схемою значно зменшилася і дорівнює або, наближено якщо врахувати. що і. Зменшення опору колекторного переходу у схемі ОЕ пояснюється тим, що в цій схемі деяка частина напруги прикладена до емітерного переходу і підсилює в ньому інжекцію. Слідом-сутність цього значне число інжектованих носіїв приходить до колекторного, переходу і його опір знижується.
Перехід від еквівалентної схеми ПРО до схеми ОЕ можна показати наступним чином. Напруга, що створюється будь-яким генератором, одно різниці між ЕРС і падінням напруги на внутрішньому опорі. Для схеми за рис. 6-1, а це буде
В
Замінимо тут на суму. Тоді отримаємо
В
У цьому виразі перший доданок представляє собою ЕРС, а другий доданок є падіння напруги від струму на опорі, який є опором колекторного переходу. А струм короткого замикання, створюваний еквівалентним генератором струму, дорівнює відношенню ЕРС до внутрішнього опору, тобто
В
Розглянуті Т-образні еквівалентні схеми є наближеними, так як насправді емітер, база і колектор з'єднані один з одним усередині транзистора не в одній точці. Але тим не менш використання цих схем для вирішення теоретичних і практичних завдань не дає значних похибок.
5. Н - параметри біполярного транзистора.
В даний час основними вважаються змішані (Або гібридні) параметри, що позначаються буквою h або H. Назва В«змішаніВ» дано тому, що серед них є дві відносні величини, одне опір і одна провідність. Саме h-параметри наводяться у всіх довідниках. Параметри системи h зручно вимірювати. Це вельми важливо, оскільки публікуються в довідниках параметри є середніми, отриманими в результаті вимірювань параметрів декількох транзисторів даного типу. Два з h-параметрів визначаються при короткому замиканні для змінного струму на виході, тобто при відсутності навантаження у вихідний ланцюга. У цьому випадку на вихід транзистора подається тільки постійна напруга (U 2 = const) від ис-точніка Е 2 . Решта два параметри визначаються при розімкнутому для змінного струму вхідного ланцюга, тобто коли у вхідний ланцюга є тільки постійний струм ( I 1 = const) , створюваний джерелом живлення. Умови U 2 = const і I 1 = const неважко здійснити на практиці при вимірюванні h-параметрів.
В
I1 I2
В
U1 U2
Рис. 7-1.
Схема транзистора, представленого у вигляді активного чотириполюсника.
У систему h-параметрів входять наступні величини.
Вхідний опір
при U 2 = const (7.1)
являє собою опір транзистора між вхідними затискачами для змінного вхідного струму при короткому замиканні на виході, тобто при відсутності вихідного змінної напруги.
За такої умови зміна вхідного струму є результатом зміни тільки вхідної напруги. А якби на виході було змінне напруга, те воно за рахунок зворотного зв'язку, що існує в транзисторі, впливало б н...
