ний струм відповідно до виразом (5.14)
(5.17)
З ростом колекторного напруги помітно збільшення цього струму внаслідок збільшення коефіцієнта передачі струму бази.
При струмі бази вихідна характеристика транзистора зміщується вгору на величину . Відповідно вище йдуть характеристики при великих токах бази, і т. д. Зважаючи залежності коефіцієнта передачі струму бази від струму емітера відстань по вертикалі між характеристиками не залишається постійним: спочатку воно зростає, а потім зменшується.
При зниженні колекторного напруги до величини, меншої напруги бази, відкривається колекторний перехід, що мало б спричинити за собою збільшення струму бази, але за умовою він повинен бути постійним. Для підтримки струму бази на заданому рівні доводиться знижувати напругу бази, що супроводжується зменшенням струмів емітера і колектора, тому вихідні характеристики при мають різкий спад. Транзистор перех-дит в режим насичення, при якому неосновні носії заряду инжектируются в базу не тільки емітерним, а й колекторним переходом Ефективність управління колекторним струмом при цьому істотно знижується, коефіцієнт передачі струму бази різко зменшується.
Як показано на рис. 5-7 великим масштабом в окружності, вихідна характеристика при наявності струму бази не проходить через початок координат.
При дуже напружених Uке спостерігається різке падіння колекторного струму із зменшенням напруги Uке і незалежність струму колектора від струму бази. При цьому транзистор входить в режим насичення, який характеризується тим, що при малих напругах колектор - емітер обидва p- n переходу, як емітерних, так і колекторний, виявляються зміщені в прямому напрямі.
Зазначимо, що напруга Uке, при якому настає насичення, дуже невелика у кремнієвого транзистора. Наприклад, напруга насичення Uке може бути рівним = -0,2 (В) при UБе = -0,9 (В) і UКБ = +0,7 (У) і тільки при дуже великих токах бази та колектора напруга насичення Uке нас = 0,5-1В
Для розрахунку транзисторних схем іноді застосовують вихідні характеристики, зняті при постійній напрузі бази. Вони отлі-зустрічаються від розглянутих характеристик, що знімаються при постійному струмі бази, більшої нерівномірністю відстаней по вертикалі між сусідніми характеристиками, обумовленої експоненційної залежністю між напругою і струмом бази.
Схема із загальним колектором. (Емітерний повторювач)
На рис. (5.8) показана схема з спільним колектором (ОК). <В
RБ Rк
Rr C VT
Се
U п
В
Rе Rн
Рис. (5-8)
Схема називається емітерних повторювачем, так як напруга на емітер по полярності совподает з напругою на вході і близько до нього за значенням.
Якщо опір навантаження мало і виконується умова h22е в”‚ Rн в”‚ В«1 (5.18) у цьому випадку можна принебречь не тільки струмом ланцюга h22е, але і ЕРС генератора h22е U ке.
Коефіцієнт передачі струму. Відповідно до еквівалентною схемою коефіцієнт передачі струму КI = -Iе/IБ = (IБ + h21еIБ)/IБ = h21е +1 (5.19)
Вихідна сопративление. Струм емітера Iе = - (IБ + h21еIБ) = - (1 + h21е) IБ. (5.20)
Вихідний опір емітерного повторювача залежить від опору генератора і мало, коли опір генератора мало в порівнянні з h11е. Мале вихідний опір емітерного повторювача є його цінним властивістю. Завдяки цій властивості його вихідний опір еквівалентно генератору напруги, яка мало змінюється при зміні опору навантаження. <В
4. Аналіз еквівалентних схем біполярного транзистора .
Всі параметри можна розділити на власні (або первинні) і вторинні. Власні параметри характеризують властивості самого транзистора незалежно від схеми його включення, а вторинні параметри для різних схем включення різні. p> О¬ Іе
r ЕО r ко
r Бо
В В
E 1 E 2
Рис. 6-1. Еквівалентна Т-подібна схема транзистора в схемі з ПРО.
В якості власних параметрів крім знайомого нам коефіцієнта посилення по струму приймають деякі опору в Відповідно до еквівалентної схемою транзистора для змінного струму (рис. 6-1). Ця схема, яка називається Т-подібної, відображає електричну структуру транзистора і враховує його підсилювальні властивості. Як у цій, так і в інших еквівалентних схемах слід розуміти, що на вхід включається джерело підсилюються коливань, створює вхідна напруга з амплітудою, а на вихід - навантаження R H . Тут і надалі для змінних струмів і напруг будуть, як правило, вказані їх амплітуди. У багатьох випадках вони можуть бути замінені діючими, а іноді і миттєвими значеннями.
Основними первинними параметрами є опору, і, м. тобто опору емітера, колектора і бази для змінного струму. Опір, являє ...
