Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » RAM-диск на SDRAM пам'яті під керуванням мікроконтролера

Реферат RAM-диск на SDRAM пам'яті під керуванням мікроконтролера





> Модулі випускаються для напруги живлення 3,3 і 5 В. Вид модулів і поєднання ключів представлений на рис. 3.6. Товщина модулів з мікросхемами в корпусах SOJ не перевищує 9 мм, в корпусах TSOP - 4 мм. В В 

Малюнок 3.6 Модулі DIMM: a - вигляд модуля, б-ключі для модулів першого покоління, в - ключі для модулів другого покоління


Проаналізувавши наявні різновиди DRAM найбільш підходящими для використання в RAM-диску є SDRAM на модулі DIMM другого покоління. Цей вибір пояснюється тим, що SDRAM пам'ять володіє вбудованим контролером якої розвантажує навантаження мікроконтролера, а також максимально можливий обсяг модулів DIMM є найбільшим порівняно з іншими модулями. Звернення до модуля SDRAM здійснюються через контролер SDRAM. Запис в регістри контролера SDRAM здійснюються в наступному порядку: на шину даних встановлюються дані; адресний сигнал регістра А [3:5] встановлюється в 1; на засувку А2 подається імпульс. Обмін даних SDRAM здійснюється в наступному порядку: зробивши попередню установку регістрів адреси і управління контролера призвести цикл читання; потрібно вважати їх у внутрішні регістри контролера;

Синхронізація здійснюється для всіх банків через сигнал II. Переклад банків пам'яті в режим саморегенерації здійснюється через регістри управління контролера. Відповідність сигналів шини даних сигналам модуля SDRAM наведено в таблиці 3.2. br/>

Таблиця 3.2 Відповідності сигналів шини даних сигналам SDRAM

Сигнал SDRAMБіти регистраПримечаниеCASA6Сигнал використовує окрему лінію контроллераRASA7Сігнал використовує окрему лінію контроллераWEA3 0DQMB [0:7] A3 [1:3] Біти перетворюються з двійкового коду в десятічнийS [0:3] A3 [4:5] Біти перетворюються з двійкового коду в десятічнийA [0: ll] A4 [0:7] A5 [O: 3] CKE [O: 1] A5 [4:5] При низькому рівні переводить банки в режим саморегенерацііB [0: l] A5 [ 6:7]

3.4 Вибір РКІ


В якості рідкокристалічного модуля виберемо MT-16S2D, який складається з БІС контролера управління і РК панелі. Контролер управління аналогічний HD44780 фірми HITACHI і KS0066 фірми SAMSUNG. Модуль випускаються в двох варіантах: зі світлодіодним підсвічуванням і без неї. Символи відображаються в матриці 5x8 точок. Модуль дозволяє відображати 2 рядки по 16 символів у кожному. Між символами маються інтервали шириною в одну отображаемую точку. Кожному відображеними мому на РКІ символу відповідає його код в комірці ОЗУ модуля. Модуль містить два види пам'яті - код...


Назад | сторінка 10 з 14 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Нове покоління драйверів SCALE для потужном MOSFET-і IGBT модулів
  • Реферат на тему: Розробка апаратно-програмних модулів системної шини ISA
  • Реферат на тему: Заміна системи управління на нову з використанням контролера CENTUM CS +300 ...
  • Реферат на тему: Застосування модулів геофізичних досліджень свердловин і методика обробки д ...
  • Реферат на тему: Безпечні умови внутрішнього трудового розпорядку контролера якості Лаборато ...