- плазма; 3 - розрядна трубка; 4 - реактивний газ4
- хвилевід; 6 - транспортна труба з нейтральними радикалами;
- реактор; 8 - підкладка; 9 - відкачування
Висновок
У ході даної роботи був спроектований двохкаскадний підсилювач, відповідний характеристикам, описаним в завданні. Підсилювач забезпечує посилення більш ніж на 25 дБ у смузі частот від 1 ГГц до 3 ГГц. Так само розроблена технологія виготовлення інтегральної мікросхеми.
При вивченні впливу залежність коефіцієнта шуму від частоти при зміні ширини затвора від 10 до 30 мк м, знайшли оптимальну ширину затвора 30 мк м.
У роботі були використані наступні програми: PSpice, MathCAD, Microsoft Word 2003, Microsoft Exel 2003, Adobe Photoshop.
Список використаної літератури
1. Романовський М.Н., Нефедцев Е.В.Проектірованіе інтегральних схем на арсеніді галію. Керівництво до практичних занять з дисципліни Інтегральні пристрої радіоелектроніки.- Томськ: Томський державний університет систем управління та радіоелектроніки, 2009. - 77 с.
. Романовський М.Н. Інтегральні пристрої радіоелектроніки. Частина 1. Основні структури напівпровідникових інтегральних схем. Навчальний посібник для вузів.- Томськ: Томський державний університет систем управління та радіоелектроніки, 2007. - 123 с.
. Березін А.С., Мочалкіна О.Р. Технологія та конструювання інтегральних мікросхем: Учеб. посібник для вузів / Під ред. І.П.Степаненко.- М.: Радіо і зв'язок, 1983. - 232 с.
Додатки
Фотошаблон № 1, травлення n + шару
Фотошаблон № 2, травлення n шару
Фотошаблон № 3, нанесення омічних контактів
Фотошаблон № 4, подтравленіе n шару, нанесення бар'єрного матеріалу
Фотошаблон № 5, формування нижніх обкладок конденсатора
Фотошаблон № 6, формування вікон у першому шарі діелектрика
Фотошаблон № 7, перший шар металізації
Фотошаблон № 8, розтин вікон у другому діелектрику
Фотошаблон № 9, друге металлизация
