ям монокристалів титанату барію і транзисторних керуючих ланцюгів. Були також створені регістри і накопичувачі на кераміках. Один з пристроїв, що допускають неруйнуюче зчитування інформації з комірки пам'яті, описано Кауфманом. Принцип його роботи полягає в тому, що при переполяризації осередки в результаті зміни знака спонтанної поляризації фаза вихідного сигналу змінюється так, що останній перебуває або у фазі, або в протифазі з опорним змінним п'єзоелектричним сигналом, вироблюваним при ультразвукової вібрації осередки.
Сегнетоелектричних резонансна пара може служити основою бістабільних елементів обчислювальних машин. Якщо частота спрацьовування магнітних ферорезонансним пар становить приблизно 20 кГц, то з сегнетоелектриками можна отримати більшу швидкодію. В одному з типів таких пристроїв застосовуються два контури послідовного резонансу, підключених паралельно джерела змінної напруги. У кожній такій ланцюга послідовно з'єднані нелінійний Сегнетоелектричних конденсатор і лінійна індуктивність. Умова резонансу нелінійної ланцюга залежить від амплітуди. Якщо амплітуда напруги мала, то в обох плечах може мати місце лінійний резонанс, але є такий інтервал амплітуд, для якого здійснюється нелінійний резонанс, при якому заряд, що протікає в одному плечі, багато більше, ніж в іншому. Більший струм може протікати в будь-якому з плечей. Перемикання з одного стану нелінійного резонансу на інше здійснюється за допомогою індуктивного зв'язку.
Висновок
. Діелектричні властивості сегнетоелектриків характеризуються нелінійними залежностями між D і Е, гістерезисом, залежністю e від напруженості поля, що пов'язано з наявністю електричних доменів.
. Електропровідність сегнетоелектриків в певному відношенні також пов'язана з доменною структурою. Як і у деяких інших діелектриків, при включенні постійного поля в сегнетоелектриках спостерігається спад струму, пов'язаний зокрема, з сегнетоелектричної релаксаційної поляризацією.
. Сегнетоелектрики знаходять широке практичне застосування. Найбільш широко застосовують сегнетоелектрики в малогабаритних конденсаторах великої ємності; причому зазвичай використовують у вигляді кераміки тверді розчини, які вибирають так, щоб виходив розмитий фазовий перехід для згладжування температурних залежностей.
4 Сегнетоелектрики застосовують також як нелінійних елементів. На основі розроблені і серійно випускаються Варіконди, призначені для керованих фільтрів, частотних модуляторів, генераторів розгортки, умножителей частоти і т. Д. Є як об'ємні, так і плівкові варіанти елементів. Розвиваються застосування сегнетоелектриків в якості запам'ятовуючих елементів і елементів пам'яті в обчислювальних пристроях.
Список використаної літератури
1. Дж. Барфут, Введення у фізику сегнетоелектричних явищ, вид-во «Світ», 352 стор., 1970.
. Ф. Іона Д. Ширане, Сегнетоелектричних кристали, вид-во «Світ», 556 стор., 1965.
3. В.А. Овчинников, Загальна фізика електрики і магнетизму, М., 248 стор., 1975.
. А.С. Сонін Б.А. Струков, Введення в сегнетоелектрики М., 438 стор., 1970.
. В.М. Гуревич, Електропровідність сегнетоелектриків М., 359 стор., 1969.
. Желудев І.С. Фізика кристалічних діелектриків. М.: Світ, 1968, с - 463.
. Іона Ф., Ширане Д. Сегнетоелектричних кристали. М .: Світ, 1965, с - 555.
. Струков В.А. Сегнетоелектрики. М .: Наука, 1979, с.- 96.
