я світло. У результаті багатопроменевої інтерференції проходять тільки ті промені світла, довжина хвилі яких в точності кратна товщині бруска. Якщо тепер до електродів прикласти електричну напругу, то завдяки електрооптичних ефекті показник заломлення кристала зміниться, що в свою чергу призведе до зміни довжини хвилі світла, що пропускається. При використанні монохроматичного падаючого світла такий пристрій може застосовуватися в якості світлового затвора. Для цієї мети підходять речовини з великим електрооптичнихвластивостям ефектом, наприклад дигідрофосфат калію.
Світовий затвор такого типу запропонували Волерс і Лейб; час спрацьовування цього затвора, мабуть, може становити менше 10 9 сек. З іншого боку, якщо падаючий світло не монохроматічен, а модульований по частоті, різновид цього світлового затвора можна використовувати для демодуляції сигналу і витягання закладеного в ньому інформації.
При падінні червоного лазерного променя на монокристал дигидрофосфата калію отримана генерація оптичних гармонік, причому уздовж певних напрямків інтенсивність може досягати значної величини.
.4 Застосування в обчислювальній техніці
У адресних регістрах обчислювальних машин багаторазово використовуються перемикачі, за допомогою яких проводиться вибір необхідної комірки пам'яті. При розробці обчислювальних машин робляться заходи для зменшення часу спрацьовування цих перемикачів. Бажано також зменшити число необхідних селекторів.
У 1952 р Андерсон висловив припущення, що сегнетоелектрики з хорошою «прямокутної» петлею гистерезиса можна використовувати в якості елементів запам'ятовуючих пристроїв обчислювальних машин, причому, як і в запам'ятовуючих пристроях на ферритах, можлива матрична селекція. При використанні матричної селекції істотна частина процесу вибору відбувається в самих осередках, причому при такому способі вибору на 10000 осередків необхідно лише 200 селекторів.
Малюнок 19 - Розташування електродів для сегнетоелектричного матричного елемента.
Малюнок 20 - Кристал титанату барію з нанесеною матрицею електродів (близько трьох електродів на 1 мм).
Принцип матричної селекції можна усвідомити на малюнку 19 Поляризація РS спрямована по товщині кристала. Електроди «рядків» і «стовпців» нанесені на протилежні поверхні кристала. Таким чином, ряд квадратних ділянок кристала виявляється покритим електродами з обох сторін; кожна така ділянка являє собою одну комірку пам'яті. Поле в кожному осередку залежить від різниці потенціалів сигналів, прикладених до електродів рядка і стовпця. Для «зчитування» стану поляризації осередку служить імпульс напруги. Іншими словами, що зчитує імпульс необхідний для визначення, чи знаходиться осередок в змозі з поляризацією + PS або з поляризацією -РS. Прикладаються до електродів рядка і стовпця осередку імпульси мають половинну амплітуду, але різні знаки; таким чином, тільки до цього вічка прикладений імпульс повної амплітуди. Залежно від стану поляризації осередки в даний момент з'являється або не виникає сигнал перемикання. Якщо комірка переполярізовалась, то зміна її заряду проявляється у вигляді імпульсу струму або у вигляді імпульсу напруги на вихідному конденсаторі.
Як було показано в лабораторії автора, нанесення електродів для створення щільності осередків порядку 800 осередків на 1 см2 не представляє труднощів (малюнок 20). При переполяризації 0,1 мм2 площі пластинки титанату барію за час, наприклад, 10 мксек середній струм дорівнює близько 5 мA. Амплітуда зчитувального імпульсу становить від 10 до 20 B при використанні пластинки з титанату барію товщиною 0,1 мм. Якщо потрібно неруйнуюче зчитування, то необхідно пристрій для відновлення первісного стану поляризації осередку після зчитування. Додаткова регенерація необхідна також тому, що впливом на осередок импуль?? ів половинній амплітуди не можна повністю знехтувати. З погляду стандартів обчислювальної техніки жодне з цих ускладнень не є дуже великим.
Запам'ятовувальні пристрої на сегнетоелектриках порівняти з пристроями, що запам'ятовують на ферритах; проте останні мають перевагу, обумовлену тим, що техніка феритів розвивалася вже протягом ряду років. Слід зазначити, що час перемикання сегнетоелектриків з погляду вимог сучасної техніки велике, якщо користуватися матричної селекцією. Час перемикання визначається амплітудою імпульсу, а амплітуда імпульсу в свою чергу - коерцитивність полем матеріалу. У разі титанату барію ця межа становить близько 10 мксек.
У сдвигающих регістрах і лічильниках обчислювальних машин матрична селекція не вживається, тому тут можна використовувати імпульси напруги більшої амплітуди. Ця обставина зменшує зазначену вище межу часу спрацьовування. При малій ємності вихідного конденсатора напруга з виходу одного осередку може бути безпосередньо докладено до іншої клітинки. Подібні регістри були побудовані із застосуванн...
