ча. Діод VD 2 усуває перенапруження на транзисторі VT 2 в момент його замикання. Діоди VD 3 і VD 4 виключають потрапляння імпульсів негативної полярності на керуючий електрод тиристора. Транзистори VT 1 і VT 2 в даній схемі працюють у ключовому (імпульсному) режимі. Для підвищення надійності роботи схеми на базу вихідного транзистора подаємо негативне напруга, що підтримує транзистор в закритому стані при відсутності вхідного керуючого сигналу.
Малюнок 3.3 - Підсилювач імпульсів управління тиристорами
Вихідними даними для розрахунку вихідного підсилювача імпульсів є.
) Розраховані раніше значення вихідних параметрів: напруга холостого ходу ( U у. хх) і струм короткого замикання ( I у. кз), які повинні бути забезпечені на виході підсилювача імпульсів.
) Параметри обраних тиристорів: час включення ( t вкл.) і час виключення ( t викл.).
) Параметри імпульсів управління: тривалість імпульсів ( t і) і частота проходження імпульсів ( F і).
) Параметри імпульсів діючих на вході крайового підсилювача, які формуються попередніми каскадами системи управління: амплітудні значення вхідного струму ( I вх. м) і вхідної напруги ( U вх. м).
Розрахунок параметрів підсилювача
1. Визначимо значення резисторів R 5 і R 6 обмежують амплітуду струму керуючих імпульсів
З ряду стандартних значень резисторів вибираємо стандартне значення резистора R 5= R 6=62 Ом.
2. Величину напруги колекторного живлення транзистора VT 2 вибираємо рівним 15 В.
3. Коефіцієнт трансформації імпульсного трансформатора знаходимо за формулою
,
де - напруга на колекторі транзистора в режимі насичення. Приймаємо =1В.
.
4. Максимальне значення струму колектора транзистора VT 2
,
де - струм навантаження, приведений до колекторної обмотці;
- струм намагнічування трансформатора.
.
5. Вибираємо із довідника транзистор, що задовольняє умовам
, ,
де - максимально - допустима напруга на колекторі;- Максимально - допустимий струм колектора транзистора.
Заданим умовам задовольняє транзистор типу КТ817Б, що має параметри [11]: коефіцієнт посилення по струму b =40 - 70; напруга насичення база-емітер=2 В; напруга насичення колектор - емітер,=0,6 В; максимально-допустима напруга колектор-емітер,=40 В; максимально-допустимий струм колектора,=1.5 А; максимально-допустима потужність, що розсіюється на колекторі з радіатором=10 Вт (без радіатора 1Вт).
6. Розрахуємо струм бази транзистора VT 2, що забезпечує режим насичення
,
де S =1,2 ... 1,5 - коефіцієнт насичення транзистора VT 2;
b 2min - мінімальне значення коефіцієнта посилення транзистора.
7. Опір резистора R 3 знайдемо із співвідношення
,
де - напруга живлення транзистора VT 1, Е 1 =15В; - напруга насичення колектор-емітер транзистора VT 1,=1В;- Напруга насичення база-емітер транзистора VT 2; = 2 В .
Ом.
Приймаємо R3 =560 Ом.
8. Струм колектора транзистора VT 1 в насиченому стані дорівнює
,
де - напруга на колекторі VT 1 в насиченому стані (Uк1. нас=1 В).
=15 В, =2 В.
А
9. Вибираємо транзистор VT 1 з умов:
; .
Заданим умовам задовольняє транзистор типу КT361А, що має параметри [11]:
коефіцієнт посилення по струму , b =20 - 300; напруга база-емітер , =1 В; максимально-допустима напруга колектор-емітер,=40 В; максимально-допустимий струм колектора,=50 мА; максимально-допустима потужність, що розсіюється на колекторі,=0,15 Вт
.Определім струм бази
,
де S =1,2 ... 1,5 - коефіцієнт насичення транзистора VT 1; b 1min - мінімальне значення коефіцієнта посилення транзистора.
11...
