Вплив на ККД послідовного та паралельного опорів
Послідовне и паралельне опору роблять безпосередній Вплив на ефективність превращение РЄ.
Дійсно, параметри Rs (послідовний Опір) i Rp (паралельне Опір), поряд з параметрами J0, T, A, J ї, входять у вирази (2.31) для ВАХ СЕ. ККД ж безпосередно свя ¬ зан З Форма ВАХ (див. Вирази (2.32) і (2.33)). На малюнку 2.14 представлено кілька ВАХ з різнімі значень параметрів Rs и Rp.
спектральних чутлівість сонячного елемента
РЄ призначеня для превращение ЕНЕРГІЇ оптичного випромінювання з конкретним спектральних складом - спектральний складом сонячного випромінювання - в електроенергію. У зв'язку з ЦІМ Важлива характеристикою РЄ є его спектральних чутлівість. Під спектральної чутливістю РЄ розуміється залежність Струму короткого замикання (фотострум, напруги холостого ходу) від Довжина Хвилі падаючого монохроматичного випромінювання, нормована на одиницю ЕНЕРГІЇ падаючого випромінювання даної Довжина Хвилі.
Для розуміння причин спектральної селективності РЄ розглянемо генерацію фотострум в РЄ. Оптичні випромінювання різніх довжина ХВИЛЮ пронікають на різну глибино (Малюнок 2.15) i створюють свой Розподіл народжения світлом пар електрон-дірка. Тому вели-чину фотострум визначавши спектральних складом падаючого ізлу-чення и просторова Розташування області збідніння - Як було зазначилися вищє, електричне поле р-п-переходу поділяє Електрон и діркі, згенеровані як в шарі збіднення, так и на-ходячи НЕ далі діфузійної довжина від області просторова заряду. Дійсно, неосновні носії заряду, что генеруються в межах діфузійної Довжина від області просторова заряду (ОПЗ), могут діфундуваті в Цю область и розділяться ЕЛЕКТРИЧНА полем.
У РЄ можна віділіті трьох області, відповідальні за генерацію фотострум. Тоді щільність фотострум:
, (2.34)
что виник внаслідок генерації носіїв у РЄ, складається з трьох доданків:
1. Щільність Струму дірок, народжения в області 1 і досяглі ОПЗ J p;
2. Щільність Струму електронів, народж. в області 3 и досяглі ОПЗ J n;
. Щільність Струму носіїв, породженіх усередіні збідненого кулі, тобто в області 2 Jsc R.
Вважаючі, что РЄ має різкій р-п-Переход, Знайдемо вирази для J p, J n і Jsc R. р-п- Переход вважається різкім, если ВІН має Профіль легування, уявлень на малюнку 2.17.
, (2.35)
де F=F л - щільність потоку падаючіх фотонів в одінічному спектральному інтервалі;
r=r л - частко фотонів, что відбіваються від поверхні в одінічному спектральному інтервалі;
б=б л - Показник поглінання.
Знайдемо вирази для J. При низьких Рівні збудження (дана Умова дозволяє вважаті ШВИДКІСТЬ рекомбінації нерівноважніх носіїв ос n р -n рВ в p-тіпі) одномірне стаціонарне Рівняння безперервності для електронів (в р-типі), має вигляд:
, (2.36)
де n - концентрація вільніх електронів; 0 - рівноважна концентрація вільніх електронів;
D n - коефіцієнт дифузії електронів;
gn - ШВИДКІСТЬ генерації електронів на одиницю опромінюваної поверхні.
Малюнок 2.17 - Профіль легування різкого р-п-переходу [3]: штріхуванням позначена область збіднення
Щільність Струму електронів візначається вирази
, (2.37)
де ц п - рухлівість електронів;
Е - напруженість електростатічного поля.
Підставамі Последний вирази в Рівняння безперервності и покладемо Е=0. Це дійсно для різкого pn-переходу. Отрімаємо Наступний:
. (2.38)
. (2.39)
согласно з літературними Джерелі [3,4], при граничних условиях:
, (2.40)
, (2.41)
де S - ШВИДКІСТЬ поверхневої рекомбінації електронів, маємо:
вирази для Густин Струму дірок з p-кулі в моделі різкого р-n-переходу может буті ОТРИМАНО аналогічно вираженість (2.42) [3]:
де D - коеффіціент діффузії; p - ШВИДКІСТЬ поверхневої рекомбінації дірок.
Матеріали для формирование фотоперетворювачів
Перш чем початиться перерахування матеріалів, вікорістовуваніх для виробництва РЄ, хочеться відзначіті суперечлівість основного крітерію Вибори светопог...
