лення колекторного переходу і амплітуду імпульсу колекторного струму вибирають із умов iKМ=(0,2 ... 0,4) iK доп; еKМ=(0,2 ... 0,4) еk доп, де iK доп і еk доп - допустимі паспортні значення імпульсу колекторного струму і колекторного напруги.
Режим роботи транзистора АГ вибирають різко Недонапряженіе. При перенапряженном режимі збільшується дестабілізуючий вплив на генерируемую частоту зміни живлячої напруги, через підвищеного вмісту вищих гармонік в імпульсах колекторного струму, найменша зміна кута відсічення призводить до помітних відносним змінам рівнів вищих гармонік, що еквівалентно змінам. Крім того, використання перенапруги режиму призводить до збільшення вихідний провідності транзистора, яка знижує добротність коливальної системи АГ.
1. Вибираємо транзистор малої потужності і фіксуємо його параметри:
- середній коефіцієнт посилення по струму:? =30 ... 90,
- Pкmax=15 мВт,
- Ск=5пФ,
- Се=6 пФ,
- fт=300 МГц,
- Eотс=0,7 В,
- Ік=0,02 А,
- iK доп=20 мА,
Ск.а=Ск/2=2,5 пФ,
? ос=rБСк.а. =10 пс,
Обчислюємо f? =Fт /? =10 МГц,
f? =Fт + f? =310 МГц,
rб =? ос/Ск.а. =4 Ом.
iKМ=(0,2 ... 0,4) iK доп=4 мА;
еKМ=(0,2 ... 0,4) еk доп=5 В.
Вибираємо коефіцієнт зворотного зв'язку в АГ Кос=1,. Тоді
Розрахунок ланцюгів зсуву і живлення транзистора:
1. Амплітуда першої гармоніки колекторного струму
2. Амплітуда постійної складової струму колектора
3. Амплітуда постійної складової струму бази
4. Розрахуємо опір дільників зміщення
Відомо, що R1=(10..20) R2
Виберемо R2=R1/10=3 900 Ом
5. Визначимо струм дільника
6. Розрахуємо резистор, включений в емітерний ланцюг транзистора, виходячи з нерівності (для зменшення впливу дестабілізуючих факторів на струм бази, і відповідно на зміщення на базі транзистора)
R1R2/(R1 + R 2) lt; lt; (1+? 0) R3
3 500 lt; lt; 31 R3
Ом lt; lt; R3
Виберемо R3=240 Ом
7. Розрахуємо зсув на базі транзистора в стаціонарному режимі
Тут перший член - зовнішнє відмикається зсув, другий- автоматичний зсув за рахунок базового струму, третій- автоматичний зсув постійної складової емітерного струму.
8. Розрахуємо резистор стоїть в колекторної ланцюга транзистора (гасить опір необхідне для зниження напруги на базі транзистора)
5.1 Розрахунок електричного режиму АГ
1. Еквівалентний опір навантаження
2. Амплітуда першої гармоніки напруги на колекторі транзистора
3. Корисна потужність віддається в навантаження
4. Потужність споживана джерела
5. Максимальна розсіює потужність на колекторі транзистора
6. ККД колекторної ланцюга при номінального навантаження
Розрахуємо коефіцієнт використання колекторного напруги в Недонапряженіе режимі
Нерівність є умова Недонапряженіе режиму.
Зробимо аналіз оцінку отриманого чисельного значення:
1. По еквівалентному опору навантаження транзистора RН знаходимо коефіцієнт включення транзистора в схему:
== 0,015
Опір ємності дільника:
=0,015 * 640=10 Ом.
Опір ємності:
Ця величина повинна бути більше 0.
=525 Ом gt; 0. - умова виконується, значить можна продовжити розрахунок.
Знайдемо величину ємності С2: С2=1/(2 ?? Хс2)=1/2? 27,86 * 106 525=11 * 10-12 Ф.
Напруга радіочастоти на варикапа VD1 не повинно перевищувати зворотного зсуву
1 [B] lt; Umin - 1=6-1=5 (B)
Приймемо UVD1=5 В.
2. Тепер зробимо розрахунок частотного модулятора на варикапа VD2.
Так як відносна девіація частоти дуже мала, то слід звернути увагу на підвищення рівня напруги, що модул...
