ює. Варикап VD2 необхідно вибрати з різким переходом (n=0,5). Користуючись таблицею 8.1 в [2], виберемо варікап КВ109В.
Визначаємо максимальне і мінімальне значення ємності обраного варикапа СВ2
,,
де С0 - номінальна ємність варикапа при номінальній напрузі Е0;
С0=10 пФ,
Е0=4 В - номінальна напруга,
Е? =0,7 - контактна різниця потенціалів,
Umax=12 В;
Umin=6 В.
Ф
Ф.
Ємність варикапа на середній частоті МГц:
Ф.
Доцільно на VD2 в режимі мовчання встановити зсув ЕВТ? 6 В і зменшувати коефіцієнт включення VD2 в схему. Для цього підберемо
С3 lt; 0,2 · СВ2=1,27 * 10-12
Виберемо С3=1,1 пФ.
Коефіцієнт включення варикапа в схему
Д= lt; 0,2.
kД== 0,14 lt; 0,2 - умова виконується, тобто варікап нам підходить,
де СВ2 - ємність варикапа VD2 у відсутності модуляції.
Тоді амплітуда модулюючого напруги на варикапа VD2:
=4,5 В.
3. Визначимо інші елементи каскаду
Зобразимо еквівалентну схему контуру автогенератора:
Еквівалентна схема контуру АГ
На малюнку пунктирною лінією обведена ємність дільника, опір якої нам відомо 19 Ом. Ємності С3, СВ2, Скб -ємність переходу транзистора Були знайдені раніше. Крім того, за обраним коефіцієнту зворотного зв'язку в АГ: Кос=С5/С4=1. Звідси С4=С5, їх необхідно нам знайти.
З малюнка:
() |||| ()
=1/(2 ?? С3)=1/2? * 27,86 * 106 1,1 * 10-12=5000 Ом.
=1/(2 ?? СВ2)=1/2? * 27,86 * 106 6,3 * 10-12=900 Ом.
=1/(2 ?? СКБ)=1/2? * 27,86 * 106 5 * 10-12=1100 Ом.
() ||== 920 Ом.
Звідси знайдемо:
+=18 Ом.
=9 Ом. Тоді С4=1/(2 ?? ХС4)=1/2? * 27,86 * 106 9=600 пФ=С5.
Індуктивність L2 виберемо такою, щоб її опір був чималим і не виникло зворотного зв'язку по змінному струмі:
ХL2 gt; (R1 + R2)=41900 Ом. Звідси L2=ХL 2/2 ??=42000/2? * 27,86 * 106=240 * 10-6 Гн.
блокувальних ємність С7 (служить для створення шляху току високої частоти) знайдемо з умови блокировочная ємність повинна бути багато більше ємності контуру (Ск=9пФ), таким чином С7=300 пФ.
Індуктивність L3 виберемо такою, щоб її опір був досить великим у порівнянні з ХVD2: ХL3 gt; ХVD2=900 Ом.
Звідси L2=ХL 2/2 ??=2000/2? * 27,86 * 106=11 * 10-6 Гн.
Опір R5 необхідно вибрати таким, щоб воно було мінімальним для постійних струмів і великим для змінних.
Ємність С8 (служить для створення шляху току високої частоти) знайдемо з умови що опір ємності повинно бути багато більше ХL2, ХL3 lt; ХVD2=4000 Ом.
Звідси C 8=1/2 ??=1/2? * 27,86 * 4000 * 106=1.4 * 10-12 Гн. таким чином С7=1.4 пФ.
Вибір конденсаторів:
Зробимо спочатку вибір контурних конденсаторів.
У фільтруючих ланцюгах вихідних каскадів транзисторних передавачів застосовують керамічні конденсатори. У таблиці 1 наведено стандартні конденсатори, відповідні розрахунковим значенням контурних конденсаторів відповідно до низки номінальних значень ємностей (табл.3,25, табл.3,27 з [2]).
Таблиця 1
Розрахункове значення ємності конденсатора в схемі, пФТіп обраного конденсатораНомінальное значення ємності обраного конденсатора, пФНомінальное напругу, ВДопустімие відхилення від номіналу,% С1140С211С31,1С4600С5600
Зробимо тепер вибір блокувальних конденсаторів.
У таблиці 2 наведено стандартні конденсатори, відповідні розрахунковим значенням блокувальних конденсаторів відповідно до низки номінальних значень ємностей (табл.3,26, табл.3,27 з [2]).
Таблиця 2
Розрахункове значення ємності конденсатора в схемі, пФТіп обраного конденсатораНомінальное значення ємності обраного конденсатора, пФНомінальное напругу, ВДопустімие відхилення від номіналу,% С7300С81,4
Вибір резисторів:
Як видно з наведеної схеми (рис. 3) для схеми ГУН з ЧС нам потрібно вибрати резистори R1, R2 - резистори дільника, R3 - резистор, включений в емітерний ланцюг для стабілізації напруги зсуву за рахунок постійної складової емітерного струму, R4 - гасить опір.
У генераторі, керованому напругою, будемо використовувати недротяні постійні резистори типу МЛТ завдяки малим габаритним розмірам і тому, що вони є резисторами загального застосування і, як правило виявляються більш дешевими.
Ск...
