ій мірі пов'язаний з процесом виготовлення приладу. Досягнення необхідної стабільності кордонів розділу, що використовуються в приладах, призводить до необхідності проведення досить складних і дорогих операцій, таких як переміщення, формування та видалення точкових дефектів і дислокацій. p align="justify"> Успіхи у вивченні меж розділу пов'язані із застосуванням електронно-спектроскопічних методів і нових методів виготовлення зразків, які дозволяють формувати межу розділу шляхом моноатомного шарового нарощування.
4. Прилади на основі GaAs
Різні приладові структури на GaAs і AlGaAs, які можуть використовуватися при створенні аналогових і цифрових інтегральних схем мають самі різні призначення. Найбільш часто використовуваним елементом при розробці як цифрових, так і аналогових ІС, безумовно, є польовий транзистор на GaAs. p align="justify"> Прилади на GaAs можна розділити на кілька підгруп. Різні приладові структури представлені на схемі 4.1. br/>В
Схема 4.1
4.1 Діоди
На основі GaAs виготовляються діоди трьох типів. Серед них діоди Ганна і лавинно-пролітні діоди, призначені для застосування в НВЧ діапазоні і діапазоні міліметрових хвиль, а також діоди Шотткі, використовувані як варакторов, змішувачів і для зміни рівнів сигналів. <В
Рис.4.2 Діодні структури:
а) діоди Ганна, б) лавинно-пролітні, в) діоди з бар'єром Шоттки
а) Діоди Ганна
Діод Ганна був винайдений Джоном Ганном в 1963 році. Це тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації і перетворення коливань в діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях pn-переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника. p> Схематичне уявлення приладу представлено на рис. 4.2, а. Діод складається з активної області довжиною L, в якій концентрація легуючої суміші дорівнює n, і двох омічних контактів. Залежність швидкості перенесення електронів від напруженості, при якій виникає негативна диференціальна провідність в такій структурі, становить 3,2 кВ/см, пікова величина швидкості електронів дорівнює при цьому 22 В· см/с. p> При виконанні умови n В· L> в області катода утворюються дипольні домени просторового заряду. Ці домени переміщуються в область анода і зникають там. Частота генерації діода визначається часом переносу домену через активну область. Залежно від схеми включення, величини nL і величини напруги зсуву можливі й інші режими роботи діода. Найбільш поширеним застосуванням діодів Ганна є генератори сигналів високих частот, однак розроблялися та підсилювачі на їх основі. p> Діоди Ганна були першими важливими для практичного використання приладами НВЧ діапазону на GaAs. Проте вони знайшли лише обмежене застосування при створенні ІС....
