ної електроніки та схемотехніки.
Методи інтегральної технології дозволили отримати на одному кристалі - мікроскопічному шматочку напівпровідника - ціле мікроелектронний пристрій, що містить діоди, транзистори, резистори. Виконання функціональних вузлів на таких мікросхемах стало значно менш трудомістким, надійність зросла завдяки меншому числу зовнішніх з'єднань. Подальший розвиток мікросхемотехніки йшло шляхом пошуку компромісу між підвищенням ступеня інтеграції та універсальністю мікросхем. Методами інтегральної технології можна виготовити вельми складну схему, проте вона буде знаходити обмежене застосування в силу своєї специфічності, а отже, її виробництво стане нерентабельним, така мікросхема виявиться дорожче вузла, виконаного на елементах малого ступеня інтеграції. Поряд зі схемами малого ступеня інтеграції (до 10 логічних вентилів на одному кристалі) набули поширення середні (до 100 вентилів) і великі інтегральні схеми (до 1000 вентилів). Тут логічним вентилем назвемо мінімальну структуру, що має один вхід і один вихід (внутрішній або зовнішній). У 1980 р. інтеграція досягла 3 млн. вентилів на одному кристалі (чіпі) - так звані надвеликі інтегральні схеми (НВІС). p align="justify"> Поряд з логічними інтегральними схемами почався масовий випуск аналогових мікросхем, в першу чергу операційних підсилювачів. Перші операційні підсилювачі з навісним монтажем і на дискретних компонентах були складні, громіздкі і годилися для використання в дорогому обладнанні. Освоєння балансних симетричних інтегральних операційних підсилювачів справила радикальні зміни в підсилювальної техніки і можливостях її застосування. Насамперед підсилювач перестав бути пристроєм в конструктивному відношенні, він став елементом, модулем зі скромним набором висновків. Масовий попит породив масове виробництво; підсилювач став дешевим, доступним елементом. Області їх застосування різко розширилися. Завдяки розвитку сучасної теорії електричних ланцюгів з'явилася можливість синтезу схем із заданими частотними та перехідними властивостями, в тому числі активних фільтрів, коригувальних ланок та інших засобів, які задають амплітудно-і фазочастотную характеристики. Один з головних аргументів скептиків - низький вхідний опір інтегральних схем - відпав з появою каскадів на польових транзисторах. Успіхи в області аналогових інтегральних схем призвели до того, що інтегральні напівпровідникові мікросхеми перевершили своїх лампових попередників по всіх найважливіших параметрах: коефіцієнту підсилення, вхідному опору, шумовим властивостям, граничної частоті. Мабуть, вони поступаються тільки в максимальному рівні вихідної напруги. Невипадково за масовістю випуску майже у всіх фірм-виробників операційні підсилювачі займали перший рядок. p align="justify"> У роки розквіту інтегральної електроніки першого покоління (50-ті роки) швидко виникали нові функціональні рішення на основі аналогових вузлів з використанням їх нелінійних властивостей. К...
