n="justify"> 3. Провести багатоваріантний аналіз генератора в режимах, зазначених викладачем.
4. Зробити розрахунок частотних характеристик і зафіксувати результат у вигляді АЧХ, ФЧХ і в табличному вигляді.
5. Зробити розрахунок перехідного процесу. Результати вивести у вигляді графіка і зафіксувати.
. Провести спектральний аналіз. Результати зафіксувати.
. Провести статистичний аналіз при заданих параметрах. Результати зафіксувати.
Завдання 2. Дослідження біполярного транзистора
Мета
1. Дослідження залежності струму колектора від струму бази і напруги база-емітер.
2. Аналіз залежності коефіцієнта посилення по постійному струму від струму колектора.
3. Дослідження роботи біполярного транзистора в режимі відсічення.
4. Отримання вхідних і вихідних характеристик транзистора.
. Визначення коефіцієнта передачі по змінному струму.
6. Дослідження динамічної вхідного опору транзистора.
Прилади й елементи
1. Модель біполярного транзистора 2N3904.
2. Джерела ЕРС.
. Амперметри.
. Вольтметри.
. Осцилограф.
Короткі теоретичні відомості
Схема для дослідження характеристик транзистора показана на рис. 4.1. Статичний коефіцієнт передачі струму визначається як відношення струму колектора I До до струму бази I Б:? DC= I К/ I Б.
Коефіцієнт передачі струму? АC визначається відношенням збільшення? I K колекторного струму до викликає його збільшенню? I Б базового струму:? АC =? I K /? I Б.
Рис. 4.1. Схема для дослідження статичних характеристик транзистора
Диференціальне вхідний опір r вх транзистора в схемі з загальним емітером (ОЕ) визначається при фіксованому значенні напруги колектор-емітер. Воно може бути знайдено як відношення приросту напруги база-емітер до викликаного їм приросту? I Б струму бази:
r вх =? U БЕ /? I Б= ( U БЕ2 U БЕ1)/( I Б2 I Б1).
Диференціальне вхідний опір r вх транзистора в схемі з ОЕ через параметри транзистора визначається наступним виразом:
вх= r Б +? АC r Е,
де r Б розподілене опір базової області напівпровідника; r Е диференціальний опір переходу база-емітер, у свою чергу визначається з виразу r Е=25/ I Е ( I Е постійний струм емітера в міліампер).
Через малість r Б ним можна знехтувати, і тоді r вх =? АC r Е. Опір r Е для біполярного транзистора порівнянно з диференціальним вхідним опором транзистора в схемі із загальною базою, яке визначається при фіксованому значенні напруги база-колектор. Воно може бути знайдено як відношення приросту? U БЕ до викликаного їм приросту? I Е струму емітера: r вх. об =? U БЕ /? I Е.
Через параметри транзистора цей опір визначається виразом: r вх. об= r б /? АC + r Е, в якому перших складових через малість r Б можна знехтувати і вважати, що диференціальний опір переходу основа-емітер r вх. об= r Е.
Порядок проведення експериментів
Експеримент 1. Визначення статичного коефіцієнта передачі струму транзистора
А . Включити схему 4.1. Записати результати вимірювання струму колектора, струму бази і напруги колектор-емітер в розділ Результати експериментів raquo ;. За отриманими даними підрахувати статичний коефіцієнт передачі транзистора? DC. Результат записати в розділ Результати експериментів ...
