іодів Шоттки є планарная структура, застосовувана переважно при виготовленні діодів, призначених, для зміщення рівня сигналів і виконання логічних функцій в цифрових ІС. Величина прямого падіння напруги таких діодів визначається їх площею і струмом, що протікає. p align="justify"> Третя структура діодів Шотткі використовується при виготовленні перебудовуються варакторов для схем генераторів на польових транзисторах в інтегральному виконанні. Застосування діодів такого типу дозволяє за рахунок більших, ніж у звичайних варакторов, меж зміни ємності, відповідно збільшити і діапазон перебудови частот генераторів. Розширення меж зміни ємності у діодів на основі такої структури пояснюється тим, що при зміні величини зворотного зсуву змінюється і товщина збідненої області, і ефективна площа діода. br/>
4.2 Польові транзистори
На основі GaAs також виготовляються польові транзистори. У їх числі різновиди транзисторів із затвором Шоттки і р-n-переходом, ПТ з гетероперехідами, проникною базою і вертикальною структурою. Структури польових транзисторів схематично зображені на рис.4.3. br/>В
Рис. 4.3. Польові транзистори:
а) з затвором Шоттки;
б) з pn-переходом;
в) з гетеропереходом;
г) з проникною базою;
д) з вертикальною структурою
Незважаючи на істотні відмінності, принцип дії всіх типів транзисторів заснований на управлінні величиною струму основних носіїв в каналі приладу за допомогою напруги, прикладеного до затвора. Дані польові транзистори можуть бути виготовлені як прилади, що працюють або в режимі збагачення, або в режимі збіднення. Область каналу у транзисторів, що працюють в режимі збагачення (нормально закриті транзистори), при нульовому потенціалі на затворі повністю збіднена, і для забезпечення провідності каналу необхідно використовувати пряме зміщення. У транзисторів, що працюють в режимі збіднення (нормально відкриті транзистори), струм в каналі протікає і при нульовому зміщенні на затворі, і потрібно докласти зворотний зсув для того, щоб досягти режиму відсічення і перекрити канал. p align="justify"> У цифрових ІС використовуються польові транзистори, що працюють як в режимі збіднення, так і збагачення, проте в монолітних ІВ НВЧ діапазону застосовують виключно прилади першого типу. Транзистори, що працюють в режимі збагачення, мають меншу споживану потужність в порівнянні з транзисторами в режимі збіднення, але разом з тим їх частотні та шумові властивості гірше. p align="justify"> Як в цифрових, так і в аналогових ІС НВЧ найчастіше застосовують польові транзистори із затвором Шоттки. Польові транзистори з р-n-переходом можуть застосовуватися при створенні пристроїв з малою споживаною потужністю, але одночасно і з меншим швидкодією. br/>
а) Польові тра...
