нзистори з затвором Шоттки і з pn-переходом
Типові структури ПТ з затвором Шоттки і р-n-переходом з планарним розташуванням областей витоку, затвора і стоку, виготовлених на підкладках з напівізолюючих GaAs, показані на рис.4.3, а і б відповідно. Активна область структур може формуватися за допомогою іонної імплантації безпосередньо в підкладку, в процесі епітаксійного росту або іонною імплантацією в епітаксійний шар. З ряду причин все більшого поширення при виготовленні цифрових ІС та ІС НВЧ діапазону на польових транзисторах набуває використання іонної імплантації безпосередньо в підкладку. Це обумовлено хорошою відтворюваністю процесу, можливістю здійснювати селективне легування, зберігати високу якість поверхні і можливістю організації масового випуску недорогих виробів. p align="justify"> Відмінності структур польових транзисторів пов'язані з використанням звичайного або заглибленого затвора, а також зі способом формування n +-контактів до областей витоку і стоку, які можна виготовити епітаксійних методами або іонною імплантацією (рис. 4.3, а). Структури з заглибленим затвором, з n +-контактами до областей витоку і стоку або без таких контактів широко використовують при виготовленні як потужних ПТ, так і польових транзисторів з низьким рівнем шуму. Властивості областей заглибленого затвора і омічних контактів до витоку та стоку в значній мірі визначають частотні характеристики і напруга пробою польових транзисторів. При виготовленні цифрових ІС переважніше використовувати прилади з планарної геометрією, так як при цьому спрощуються проблеми, пов'язані з покриттям ступенів у системі метал - діелектрик при створенні багаторівневої металізації. p align="justify"> Виконано значне число досліджень, присвячених моделюванню процесів роботи польових транзисторів і електронних схем на їх основі. Перша модель ПТ, в якій використана ступінчаста апроксимація каналу, була запропонована Шоклі. Згодом були розроблені значно складніші моделі. br/>В
Рис.4.4. Моделювання роботи ПТ з затвором Шоттки. p align="justify"> Суцільні лінії - значення відношення щільності електронів до концентрації легування активного шару
Штрихові лінії - розподіл електростатичного потенціалу
Стрілки - розподіл електричного струму
На рис. 4.4 представлені результати математичного моделювання роботи польового транзистора з затвором Шоттки, проведеного на основі підходу, запропонованого Френеля. На малюнку показані щільність електронів, розподілу електростатичного потенціалу та електричного струму в структурі транзистора. Чітко видно існування збідненої області під затвором приладу. Збільшення щільності еквіпотенційних ліній в області між затвором і стоком, відповідне існуванню великих напруженостей електричного поля, підтверджує той експериментально спостережуваний факт, що вихід приладів з ладу пов'язаний з електричним пробоєм саме в...
