Z.J. Zhao «Interconnect damage by electromigration: experiment and numerical simulation», Acta Metallurgica, vol. 47 no. 1, pp. 89-99, Sep. 1998.
. JEDEC Solid State Technology Association, «Failure mechanisms and models for semiconductor devices», JEP122-B, Aug. 2003.
. Fen Chen, Rolf-Peter Vollertsen, Baozhen Li, Dave Harmon, Wing L. Lai, «A new empirical extrapolation method for time-dependent dielectric breakdown reliability projections of thin SiO2 and nitride-oxide dielectrics», ELSEVIER Microelectronics Reliability , vol. 42, pp. 335-341, 2002.
. J.H. Stathis, S. Zafar, «The negative bias temperature instability in MOS devices: A review», ELSEVIER Microelectronics Reliability, vol. 46, pp. 270-286, Sep. 2005. A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, T. Ohmi, «Accurate negative bias temperature instability lifetime prediction based on hole injection», ELSEVIER Microelectronics Reliability, vol. 48, pp. 1649-1654, Aug. 2008.
. M. Karam, W. Fikry, H. Haddara, H. Ragai, «Implementation of hot-carrier reliability simulation in Eldo», in IEEE Int. Symp. On Circuits and Systems, vol. 5, 2001, pp. 515-518.
. J.B. Bernstein, M. Gurfinkel, X. Li, J. Walters, Y. Shapira, M. Talmor, «Electronic circuit reliability modeling», ELSEVIER Microelectronics Reliability, 2006, pp. 1957-1979.
. AVSI project AFE 17 reports.
. Edward Wyrwas, Lloyd Condra, Avshalom Hava, Accurate «Quantitative Physics-of-Failure Approach to Integrated Circuit Reliability».
. зебри Г.І . «Фізичні основи кремнієвої наноелектроніки»: Навчальний посібник. М.: МІФІ, 2008. - 288 с.
. М. Горлов, А. Строганов, А. Андрєєв «Вхідний контроль напівпровідникових виробів»: CHIP NEWS # 3 (66), березень, 2002.
. М. Горлов, А. Строганов, Д. Шацьких «Технологічні тренування інтегральних схем»: Компоненти і Технології № 4 2009 року.
. Edward J. Wyrwas and Joseph B. Bernstein «Quantitatively Analyzing the Performance of Integrated Circuits and Their Reliability» IEEE Instrumentation & Measurement Magazine February 2011.
. В. Романов «Кількісна оцінка надійності інтегральних схем за результатами форсованих випробувань»: Електронні компоненти й системи 2003 жовтень № 10 (74).
. C.В. Гаврилов, О.Н. Гудкова «Логіко-часовий аналіз надійності цифрових НВІС з урахуванням ефектів деградації NBTI і HCI» Установа Російської академії наук Інститут проблем проектування в мікроелектроніці РАН, 2008.
