є з ймовірністю. Значення tг находится й достатньо просто з решение рівняння:
(2.12)
Для експоненціального розподілу вирази для t г отримується:
, (2.13)
Для г=0,15 знаходимо: t г=- 1 / (8,852 * 10 - 9) ln (0,15)=2,14 * 10 8 (рік)
Висновки
На сьогоднішній день значний Частину елементно-компонентної бази РЕА становляит цифрові вироби інтегральні схеми Такі як: мікропроцесорі, мікроконтролері, аналого-цифрові перетворювачі й т.д. У зв'язку Із Цім Надійність РЕА доцільно зіставіті з надійністю цифрових виробів.
Існує принципова причинно-наслідковій зв'язок послідовності або ланцюга подій, что призводять до відмов ЕЛЕМЕНТІВ. Так, что вплівають на елемент експлуатаційні факторі породжують фізико-Хімічні Процеси в Матеріалах, Які призводять до Зміни властівостей ціх матеріалів. У результаті цього змінюються Параметри елемента й наступає відмова. У цьом ланцюзі попередня Подія Виступає як причина наступної події. Віхідною ж причиною відмов, рушійною силою їхні вияви є експлуатаційні факторів.
Домінуючімі механізмамі відмов у мікроелектронніх прилаштувався Заснований на кремнії, є: електроміграції, годин діелектрічній Пробій, температурна нестабільність напруги зворотнього Зсув ї інжекція гарячих носіїв. Інші МОДЕЛІ деградації Дійсно існують, альо є Менш Розповсюдження.
В практічній частіні курсової роботи були вівчені основні механізмі відмов інтегральніх схем, а такоже БУВ опанованій метод розрахунку основних Показників надійності:
-інтенсівість відмові ІС, яка складає: ліс=рік - 1
гамма-відсотковій годину напрацювання до відмові: tг=2,14 * 108 рік
середній годину напрацювання до відмові=1,13 * 108 рік
На Основі отриманий результатів побудувалося графікі залежності інтенсівності відмов від годині напрацювання.
Перелік ПОСИЛАННЯ
1.Івченко В.Г. Конструювання та технологія ЕОМ. Конспект лекцій.- / Таганрог: ТГРУ, Кафедра конструювання електронних засобів.- 2001.
2.Конструкторско-технологічне проектування електронної апаратури: Підручник для вузів.- М.: Изд. МГТУ ім. Н.Е. Баумана, 2002. - 528 с.
. Строгонов А.В. «Довговічність інтегральних схем та виробничі методи її прогнозування»: chipinfoliterature/chipnews/200206/8.html.
. Mark White, Yuan Chen Jet Propulsion Laboratory Pasadena, California «Scaled CMOS Technology Reliability Users Guide», NASA Electronic Parts and Packaging (NEPP) Program Office of Safety and Mission Assurance, Copyright 2008. California Institute of Technology.
. М. Горлов, А. Строганов «бракувальної випробування як засіб підвищення надійності партій ІС»: Технології в електронній промисловості, № 1 2006 року.
. С.М. Нікулін «Надійність Елементів Радіоелектронної апаратури»: Москва «Енергія» 1979.
. F. Jensen, Fi. Jensen, P. Jensen, «Electronic Component Reliability: Fundamentals, Modeling, Evaluation, and Assurance». England, John Wiley & Sons, 1995.
. T. Smy, S.S. Winterton, «Simulation and analysis of electromigration failure distributions», ELSEVIER Microelectronics Reliability, vol. 34 No. 6, pp. 1047-1056, 1994.
. J.M. Huang, W. Yang, ...
