падку величини і стійкості в розплаві починається мимовільна кристалізація C 3 S. Іони в рідині, володіючи значною в порівнянні з іонами кристалів кінетичної енергією, не можуть тривалий час утворити скільки-небудь стійкий агрегат, і всяке випадкове скупчення молекул швидко розпадається. Лише за сприятливих умов стає можливим поява стійких кристалічних зародків C 3 S. У другому випадку процес зародження кристалів C 3 S полегшується через наявність в розплаві твердої фази (C 2 S і СаО), так як виникнення зародків відбувається на поверхні вже наявних кристаликів. Стійкі зародки кристалів C 3 S поступово зростають. Між поверхнею зростаючого кристала і розплавом утворюється адсорбційний шар (В«дворик кристалізаціїВ») з рідини, що містить у великій кількості іони речовини, що кристалізується, який служить джерелом живлення зростаючого кристала. У межах цього шару дифузія частинок через їх підвищеної концентрації виявляється сповільненій. Отже, зростання кристалів, так само як і їх розчинення, складається з двох процесів:
) дифузії іонів з розплаву до граней кристала через прикордонний шар рідини;
) реакції приєднання іонів до грані і їх орієнтації на неї відповідно з будовою даної кристалічної решітки.
Між частинками в адсорбционном шарі можливі непружні зіткнення, в результаті яких можуть утворюватися дрібні кристалики C 3 S, що приєднуються в Надалі до основного кристалу. Отже, зростання кристалів в розплаві з підвищеною концентрацією розчиненої речовини може відбуватися не тільки завдяки послідовному відкладенню молекул на поверхні кристала, а й унаслідок прилипання до неї вже сформувалися найдрібніших кристалів, що утворилися поблизу основного кристала. При отриманні клінкеру в інтервалі температур від 1723 до 1773 До основної фазою, кристаллизующейся в розплаві, є трехкальциевого силікат. Переважне виділення C 3 S відбувається до тих пір, поки розплав залишається пересиченим стосовно СаО. У міру убутку вільний СаО в системі і появи локальних обсягів насиченого і не насиченого кальцієм розплаву починається перекристалізація через рідку фазу залишкової кількості недосконалих кристалів C 2 S, а також кристалів MgO. Кристалізація З 3 А і C 6 A х F у ...
