з топологічним ЧФ у ЕМ аналізі середовища MWO.
а) б) в) Малюнок 2.8 - Порівняння топологічного і ідеального ППФ: а) АЧХ і графік КСВ фільтра Ф1сравненіе топологічного с; б) АЧХ і графік КСВ фільтра Ф2; в) АЧХ і графік КСВ фільтра Ф3 < span align = "justify"> Малюнок 2.9 - Порівняння топологічного і ідеального ППФ АЧХ і графік КСВ фільтра Ф4 2.4 Вибір пристроїв комутації
У пристроях, що працюють в діапазоні НВЧ, застосовуються комутатори, реалізовані на pin діодах (Малюнок 2.10).
В
Малюнок 2.10 - Схема електрична принципова комутатора 1-2
Структура типового pin-діода (Малюнок 2.11 а) характеризується тим, що між двома сильно легованими областями дуже низького опору n + і p + знаходиться активна базова i-область з високим питомим опором (типовою , а в ряді приладів аж до ) і відносно великим часом життя (електронів і дірок) заряду . Товщина бази лежить в межах , діаметр мезаструктур .
а) б) в) Малюнок 2.11 - а ) структура pin-діода, б) еквівалентна схема pin-діода при роботі в прямому напрямку; в) еквівалентна схема pin-діода при роботі в зворотному напрямку Специфічні особливості pin-структури, істотні для роботи діодів, полягають в наступному:
При роботі в прямому напрямку на досить високих частотах f, що визначаються співвідношенням
. (2.11)
Дифузійна ємність p В± i-і n В± i-переходів повністю їх шунтирует, таким чином еквівалентна схема зводиться до малюнка 2.12 б, де R1 (Rпр) - опір бази, модульоване прямим струмом. Співвідношення (2.11) може виконуватися вже при частоті f: 10-20 МГц і завідомо справедливо на НВЧ. p align="justify"> При зворотному зсуві еквівалентна схема pin-діода представляється у вигляді малюнка 2.12 в, де R1 (Rобр) - опір i-бази в немодульованих стані, рівне
. (2.12)
Реально Rобр = 0,1-10 кОм.
При прямому зсуві внаслідок подвійної інжекції дірок з p +-області і електронів з n +-області, вся база В«заливаєтьсяВ» носіями і в еквівалентній схемі (Малюнок 2.12 б) виконується
. (2.13)
Значення Rпр в номінальному режимі близькі до величини ~ 1 Ом; при зміні прямого струму величина Rпр може змінюватися в широких межах за законом, б...
