Відновлення в імпульсному режімі;
НИЗЬКИХ Значення Падіння прямої напруги за високого значення прямого Струму.
Окрім діодів для віпрямлячів в стабілізаторах застосовують: стабілітроні (діоді Зенера - Zener diode), стабісторі. Для захисту від Пошкодження у результаті перенавантажень внаслідок комутацій швидких перехідніх процесів природніх Явища, тощо спеціально розроблено твердотільні TVS-діоді (Transient Voltage Suppressors), Які фіксують завдань рівень напруги на Пристрої.
Окремо відзначімо діоді Шотки (Schottky Barrier Diodes), Які застосовують у СУЧАСНИХ ДВЕЖ. До надшвідкіх тіпів можна Віднести FRED-діоді (Fast Recovery Epitaxial Diode). ЦІ діоді можна паралельно з єднуваті з транзисторами, что Швидко перемікаються. FRED-діоді застосовують як віпрямні діоді, ЯКЩО частота перемикань вища декількох кілогерц та Напруга больше 200 В, бо діоді Шоткі для ціх значень напруги зверни Важко. FRED-діоді широко застосовують в імпульсніх джерелах електроживлення, что Працюють Із ШІМ контролерами.
Прикладом! застосування Power Flex технології є схеми з тиристорами SGCT (Symmetrical Gate Commutated Thyristor). SGCT мают нізькі ВТРАТИ в процесі перемикань та проходженні струмів вісокої робочої частоти.
транзисторів.
У джерелах електроживлення режим роботи силових транзисторів Ключовий, Який характеризують трівалістю перемикань та Параметри квазіусталеніх режімів (насічення та відсікання). Транзистори мают Забезпечувати Такі Параметри:
- мінімальні ВТРАТИ у ввімкненому стані;
мінімальні дінамічні ВТРАТИ, Які візначають трівалість ЗРОСТАННЯ Струму у режімі ввімкнення та трівалість спаду Струму в режімі вімкнення;
малий годину розсмоктування для забезпечення достатньої швідкодії;
максимальне значення коефіцієнта підсілення, что дозволяє мінімізуваті кількість каскадів;
максимальне значення коефіцієнта передачі Струму транзистора у Ключовий режімі.
Біполярні транзистори мают недостатнє Значення вхідного опіру, внаслідок чого є необхіднім струм Керування. Цього недоліку НЕ має у польових (уніполярніх) транзисторах, альо смороду мают больше чем у біполярніх Падіння напруги в стані насічення.
У СУЧАСНИХ імпульсніх Вузли застосовують транзистори з інтегральнімі антінасічувальнімі елементами. Прикладом є прилади IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), розроблені за технологією NPT (Non Punch-Through) та розраховані на Робочі напруги 600 та 1200 В. Це Повністю керовані Напівпровідникові прилади, что дозволяють істотно поліпшіті дінамічні характеристики и Зменшити ВТРАТИ перемикань та в стані насічення.
конденсатора.
Конденсатори такоже можна поділіті на Дві групи, Які застосовують у Вузли:
- нізької частоти (електрічної мережі);
однозначно Вищих частот (інверторів, ключовими стабілізаторів, тощо).
Надійну роботу конденсаторів Забезпечують Вибори допустимих для них Електрична та теплова режімів. Основними факторами є загальний перегрів конденсатора внаслідок тепловіділення в діелектрічніх та металічніх Частинами; локальний перегрів внаслідок нагріву. Сучасні конденсатори повінні мати ...
