к практично в даний час і, мабуть, ще кілька років у майбутньому, традиційні СПП будуть використовуватися досить широко. Це пояснюється тим, що незважаючи на успіхи високих технологій, традиційний тиристор приблизно в 2 рази дешевше замикається і в 5 разів дешевше відповідних по потужності IGBT або IGCT. Тому слід очікувати, що дві області застосування залишаться переважними для одноопераційних СПП.
Для того щоб виключити аварійні режими роботи пристроїв, заснованих на застосуванні СПП, необхідно знати причини зміни параметрів і допустимі межі цих змін. Всі відмови, за винятком тих, які є наслідком дефектів виробництва, пов'язані з температурою нагріву елементів конструкції приладу. Причому в більшості випадків визначальне значення має нагрів кремнієвої структури.
Найбільш небезпечним щодо виникнення причин, що призводить до відмов, є режим імпульсної перевантаження приладів струмом. Саме в цьому режимі проявляється відразу кілька критичних факторів, що визначають пошкодження СПП. Різним механізмам відмов відповідає не тільки певне значення критичної температури нагріву, але і тривалість процесу нагріву, визначальна перепад температури в елементах конструкції або в межах одного елемента. Перевищення граничної температури може призвести або до тимчасового погіршення параметрів СПП і відповідно до тимчасового непрацездатному станом апарату, або до необоротного пошкодження приладів, аж до механічного їх руйнування.
У результаті розрахунку експлуатаційного режиму роботи тиристора ТБ153-800 була досліджена можливість перевантаження струмом імпульсу полусіносоідьной форми часом імпульсу tімп=10 мс. Так як сумарна температура тривалого і імпульсного режиму вийшла менше допустимої, значить, тиристор може витримати даний імпульс.
Список використаних джерел
1. http://studfiles/dir/cat39/subj1377/file15211/view153905.html
2. lt; http: //proton-electrotex/ru/goods/3gt;
.http://edu. dvgups/METDOC/GDTRAN/DEPEN/ELMASH/ELEKTROT/UMK_DO/LEK/L7/1_2. htm lt; http: //edu.dvgups/METDOC/GDTRAN/DEPEN/ELMASH/ELEKTROT/UMK_DO/LEK/L7/1_2.htmgt;
. lt; http: //radiofun/tiristors/129.htmlgt;
.http: //gaw/html. cgi/txt/publ/igbt/tiristor. htm
.http://ru. wikipedia/wiki/Биполярный_транзистор_с_изолированным_затвором
.КукековГ.А., ВасерінаК.Н., Лунін В.П. Напівпровідникові електричні апарати.
.Славік І. Конструювання силових напівпровідникових перетворювачів. Москва: Вища, 1989.
.Розанов Ю.К. Основи силової електроніки. Москва: Вища, 1992.
.Сосков А.Г. Усовершенственние силові комутаційні напівпровідникові апарати низької напруги, 2 011.
.Чебовскій О.Г., Моїсеєв Л.Г., Недошивін Р.П. Силові напівпровідникові прилади. Довідник.
