труму керуючого сигналу через навантаження Rн і джерело сигналу єс. Цю схему доцільно використовувати при малих опорах джерела сигналу і опору навантаження, крім того, бажано збільшувати опір Rу для зниження струму в ланцюзі управління. Однак слід врахувати, що зниження струму управління приведе до збільшення диференціального опору діодів.
Для зниження перешкод з ланцюга управління можна використовувати бруківку схему, наведену на малюнку 4б. в цій схемі ланцюг управління розв'язана від ланцюга передачі сигналу. Якщо напруга управління дорівнює нулю, або має полярність, замикаючу міст, то ключ розімкнутий. При позитивній полярності джерела керуючого сигналу ключ замикається, а струм управління проходить тільки через діоди і опір Rу. Напруга зміщення дорівнюватиме різниці прямих падінь напруг на діодах.
Недоліком цієї схеми (Рис. 4б) є відсутність загальної точки у джерела сигналу і джерела управління.
Схема, зображена на малюнку 4в позбавлена ​​цього недоліку, в ній використовується 2 симетричних джерела сигналів управління Еу1 і еу2. Сигнали цих джерел підводяться до діодному мосту через розділові діоди D5 і D6. Для підтримки діодного моста в замкненому стані за відсутності сигналів управління на нього подається через резистори Rу1 і Rу2 замикає напруга від джерел постійної напруги В± Є. в цій схемі забезпечується розв'язка джерела управління від кола джерела сигналу.
В
Малюнок 4. Схеми діодних ключів. а - на двох діодах; б - мостового діода; в - на шести діодах
Ключі на біполярних транзисторах більш досконалі, ніж діодні і значно частіше використовуються в електронних схемах. Найпростіший ключ на одному біполярному транзисторі зображений на рисунку 5. він складається з ключового транзистора Т1 і схеми управління на транзисторі Т2. За структурою транзисторний ключ схожий на двухдіодний ключ, зображений на малюнку 4а. За відсутності струму бази Т1 закритий і ключ розімкнений, а при протіканні через базу струму управління Іб> iб.нас ключ розімкнутий. У цьому випадку колекторний і емітерний переходи відкриті і діють так само, як відкриті діоди (рис 4а).
В
Малюнок 5. Схема простого транзисторного ключа
Ключі на польових транзисторах з керуючими pn переходами і з ізольованим затвором в Нині отримали переважне поширення в інтегральних мікросхемах. Насамперед це пов'язано з їх наступними перевагами: малі струми витоку, низьке споживання по ланцюгу управління, відсутність напруги зміщення, технологічність виробництва.
В аналогових ключах використовуються польові транзистори з каналами p-і n-типу. Однак, оскільки рухливість електронів більше рухливості дірок, то опір каналу у включеному стані у транзисторів з n-каналом нижче. На швидкодію ключів істотно впливають перехідні процеси в транзисторах. У цьому відношенні переважне застосування знаходять польові транзистори з ізольованим затвором, паразитні ємності у яких менше. Найбільше поширення отримали ключі на комплементарної (узгодженої) парі польових транзисторів, один з яких має канал р-типу, а інший n-типу.
Особливістю ключів на польових транзисторах з ізольованим затвором є сильна залежність опору відкритого каналу від комутованого сигналу, що призводить до модуляції провідності каналу вхідним сигналом і виникнення додаткових нелінійних спотворень. Для зниження таких викривлень в ключах обмежують рівень вхідних сигналів і використовують порівняно великий опір навантаження ключа.
На малюнку 6 приведена схема ключа на польовому транзисторі Т1 з керуючим pn-переходом і каналом p-типу. Схема управління ключем виконана на транзисторі Т2, а її харчування проводиться від джерела напруги Є. Діод D необхідний для того, щоб напруга затвор-витік залишалося рівним нулю при будь-яких значеннях вхідних сигналів. Для виключення модуляції провідності каналу вхідним сигналом затвор через опір Rз пов'язаний з напругою джерела сигналу єс. Пристрій управління працює наступним чином: якщо напруга управління дорівнює нулю, то транзистор Т2 замкнений і напруга + Е через опір R2 і діод D підводиться до затвору транзистора Т1, замикаючи його. У результаті цього ключ буде замкнутий. Якщо напруга управління включає транзистор Т2, то анод діода D через насичений транзистор Т2 з'єднується із загальною шиною, в результаті чого напруга на затворі Т1 знижується майже до нуля і транзистор Т1 відмикається, що еквівалентно замикання ключа.
Ключі на польових транзисторах з ізольованим затвором і індукованим каналом p-і n-типу одержали саме широке поширення при створенні комутаторів. Основний особливістю цих ключів є те, що в початковому стані при нульовому напрузі на затворі вони замкнені. Збагачення каналу носіями заряду відбувається тільки при подачі на затвор напруги, що перевищує порогове напругу. Струми витоку ПТІЗ визначаються струмами, які протікають в закритому транзисторі від витоку і стоку до підкладки і мають зна...
