Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Дослідження біполярних і польових транзисторів

Реферат Дослідження біполярних і польових транзисторів





ц);

· За потужністю: Малопотужні транзистори ММ ( lt; 0,3 Вт), середньої потужності СРМ (0,3ч3Вт), потужні ( gt; 3 Вт).


1. Теоретична частина


. 1 Біполярний транзистор КТ301Ж


. 1.1 Загальні відомості

Кремнієвий планарний npn транзистор, призначений для посилення і генерування коливань на частотах до 60 МГц.

Корпус металевий, герметичний, з гнучкими висновками (малюнок 1). Маса транзистора не більше 0,5 г.


Малюнок 1 - Біполярний транзистор КТ301Ж


. 1.2 Максимально допустимі параметри

Гарантуються при температурі навколишнього середовища Тс. від мінус 55єС до плюс 85єСк max=10 мА постійний струм коллекторае max=10 мА постійний струм еміттераеб max=3 В постійна напруга емітер-базакб max=20 В постійна напруга колектор-базаке max=20 В постійна напруга колектор-емітер при к. з. між емітером і базойк max=150 мВт постійна розсіює потужність колектора при Tc від мінус 55єС до плюс 60єС

Тn max=120єС температура переходу, п-к=0,6 єС/мВт тепловий опір перехід-корпус


. 1.3 Електричні параметри

Робота транзистора характеризується параметрами, що визначають підсилювальні і частотні властивості в режимах посилення, перемикання і відсічення, а також максимально допустимими режимами експлуатації. Електричні параметри транзистора наведені в таблиці 1.


Таблиця 1 Електричні параметри транзистора КТ301Ж

НаіменованіеОбозначеніеЗначеніяРежіми ізмереніямінімальноемаксімальноеUк, ВUе, ВIк, мАIб, мАIе, МАF, МГцОбратний струм колектора, мкАIкбо1020Обратний струм емітера, мкАIебо103Напряженіе насичення колектор-емітер, ВUке нас3101Напряженіе насичення база-емітер, ВUбе нас2,5101Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті | h21е | 1,5101,520Статістіческій коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕh21е80300103Постоянная часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті, пс? н20001022Максімальная частота генерації, МГцfmax60103

. 1.4 Вольтамперні характеристики

Вхідні статичні характеристики транзистора зображені на малюнку 2, вихідні - на малюнку 3.


Малюнок 2 - Вхідні статичні характеристики транзистора


Малюнок 3 - Вихідні статичні характеристики транзистора


. 2 Польовий транзистор КП103Ж


. 2.1 Загальні відомості

Кремнієвий дифузійно-планарний з pn переходом і p-каналом. Транзистор призначений для роботи у вхідних каскадах підсилювачів низької частоти, підсилювачів постійного струму і в ключових схемах. Транзистори можуть підбиратися пари (КП103ЕР і т.д.).

Корпус металевий, з гнучкими висновками (малюнок 4, а) і пластмасовий (малюнок 4, б). Маса для обох типів 1 г.


Малюнок 4, а - Польовий транзистор КП103Ж


Малюнок 4, б - Польовий транзистор КП103Ж


. 2.2 Максимально допустимі параметри

Гарантуються при температурі навколишнього середовища Тс. від мінус 55єС до плюс 85єСсз max=15 В сумарна напруга сток-затворсі max=10 В постійна напруга стік-витік=12 мВт постійна розсіює потужність транзистора


. 2.3 Електричні параметри

Робота транзистора характеризується параметрами, що визначають підсилювальні і частотні властивості в режимах посилення, перемикання і відсічення, а також максимально допустимими режимами експлуатації. Електричні параметри транзистора наведені в таблиці 2.


Таблиця 2 Електричні параметри транзистора КП103Ж

НаіменованіеОбозначеніеЗначеніяРежіми ізмереніямінімальноемаксімальноеUсі, ВUзі, ВIС. нач., мкАНачальний струм стоку, мАIс. нач.0,53100Ток витоку затвора, мА при Тс=+ 85єС при Тс=- 55єСIз. ут.20 2 * 103200 0010 10 10Крутізна характеристики, мА/ВS0,52,8100Напряженіе відсічення, ВUзі отс0,52,21010Коеффіціент шуму, дБКш0,5350Входная ємність, пФС11і20100Проходная ємність, пФС12і8100Относітельная різниця початкового струму стоку,%? Iс. нач.1020100Относітельная різниця крутизни струму стоку,%? S1020100Относітельная різниця напруги відсічення,%? Uзи отс5101010

. 2.4 Вольтамперні характеристики

Вхідні статичні характеристики транзистора зображені на малюнку 5, вихідні - на малюнку 6.


Малюнок 5 - Вхідні статичні характеристики транзистора

Малюнок 6 - Вихідні статичні характеристики транзистора



Назад | сторінка 2 з 5 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Параметри польового транзистора
  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок МДП-транзистора з індукованим каналом
  • Реферат на тему: Дослідження біполярного транзистора