Міністерство освіти і науки Російської Федерації
Федеральне агентство з освіти
Державна освітня установа
вищої професійної освіти
Східно-Сибірський державний технологічний університет
Факультет Електротехнічний
Кафедра Електронно-обчислювальні системи
Курсова робота
Дослідження біполярних і польових транзисторів
Виконавець:
студент очної форми навчання
групи 659
Керівник роботи
Ветлужський А.Ю.
Нормоконтролер Мади А.П.
Улан-Уде 2011
Завдання по підготовці курсової роботи
. Дисципліна Електроніка
. Тема КР Дослідження біполярних і польових транзисторів
. Термін здачі студентом закінченої КР ___________
. Вихідні дані до КР Транзистор КТ301Ж npn типу. Схема включення - схема з загальним емітером. Величина напруги живлення Eп=5 В. Опір навантаження Rн=3 кОм
Тип транзистора - КП103Ж із затвором на основі pn переходу і p-каналом. Схема включення - із загальним витоком. Величина напруги живлення Eп=20 В. Опір навантаження Rн=3 кОм
. Перелік підлягають розробці в КР питань або короткий зміст КР:
У ході виконання курсової роботи необхідно для заданих типів транзисторів визначити їх параметри і статичні характеристики, відповідно умовами завдання виконати аналіз роботи транзисторів з навантаженням у вихідний ланцюга, розрахувати параметри еквівалентної схеми і малосигнальний параметри транзисторів, визначити вітчизняні і зарубіжні аналоги заданих підсилювальних елементів.
. Перелік графічного матеріалу (за наявності креслень або плакатів): __________________
. Дата видачі завдання ________
Керівник Ветлужський А.Ю.
Зміст
Введення
. Теоретична частина
. 1 Біполярний транзистор КТ301Ж
. 1.1 Загальні відомості
. 1.2 Максимально допустимі параметри
. 1.3 Електричні параметри
. 1.4 Вольтамперні характеристики
. 2 Польовий транзистор КП103Ж
. 2.1 Загальні відомості
. 2.2 Максимально допустимі параметри
. 2.3 Електричні параметри
. 2.4 Вольтамперні характеристики
. Розрахункова частина
. 1 Біполярний транзистор КТ301Ж
. 1.1 Вихідні дані для розрахунків
. 1.2 Побудова навантажувальної прямої
. 1.3 Визначення малосигнальних параметрів
. 1.4 Розрахунок величин елементів еквівалентної схеми транзистора
. 1.5 Визначення граничних і граничних частот транзистора
. 1.6 Визначення частотних залежностей Y-параметрів
. 2 Польовий транзистор КП103Ж
. 2.1 Вихідні дані для розрахунків
. 2.2 Побудова навантажувальної прямої
. 2.3 Визначення малосигнальних параметрів
. 2.4 Розрахунок величин елементів еквівалентної схеми транзистора
. 2.5 Визначення граничних і граничних частот транзистора
. 2.6 Визначення частотних залежностей Y-параметрів
Висновок
Список літератури
Введення
Транзистором називається напівпровідниковий преосвітній прилад, що має не менше трьох висновків і здатний підсилювати потужність. Класифікація транзисторів проводиться за наступними ознаками:
· За матеріалом напівпровідника - зазвичай германієві або кремнієві;
· За типом провідності областей (тільки біполярні транзистори): з прямою провідністю (pnp - структура) або зі зворотним провідністю (npn - структура);
· За принципом дії транзистори підрозділяються на біполярні і польові (уніполярні);
· За частотним властивостям:
НЧ ( lt; 3 МГц);
СРЧ (3ч30 МГц);
ВЧ і СВЧ ( gt; 30 МГ...
