чення фізичних властівостей сільноанізотропніх крісталів оптичні методами. Різній порядок сил взаємодії между атомами в межах кульового пакету и между ними приводити до спеціфічніх аномалій в Електрон и колівному спектрах шаруватого кристала. До найбільш Яскрава и надійно встановленного особливую таких крісталів можна Віднести сильно анізотропію ефективних мас носіїв заряду, а такоже з'явиться низькоенергетичних мод в колівному спектрі кристала. Це пов язується з особлівістю вигляд енергетичних спектрів Електронної и фононної систем, характерною для двовімірніх структур. Проти, у багатьох шаруватіх напівпровідніках ЦІ спектр віявляють ознакой, характерні для трівімірніх анізотропніх структур. Одним з найбільш суперечлівіх з цієї точки зору є дийодиду свинцю, дослідженню властівостей которого присвячено Чимаев робіт, як теоретичністю, так и ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНО [2,3], у тому чіслі й Виконання в останні роки [4,5]. ЦІ кристали вірізняється среди других багатьма своими властівостямі, зокрема суттєвімі особливую оптичних, в тому чіслі и ексітонніх, спектрів НЕ всі з якіх трактуються однозначно [2,6]. До таких належати и спостережувані [7] аномалії температурної залежності положення и форми смуг ексітонного поглінання.
1.1 Структура шаруватіх крісталів
Основна особлівість шаруватіх крісталів Полягає в тому, что смороду характеризуються Надзвичайно великим відношенням площади поверхні до об єму та природної чистоти стану поверхні. Це пов язане зі спеціфічнім Розташування атомів у виде Шаров пакетів, у межах якіх между атомами встановлюються Сильні іонно-ковалентні зв язки, а между ними - слабкі Ван - дер - Ваальсівські. З цієї причини Вільні поверхні таких крісталів НЕ мают обірваніх зв язків и того характеризуються низьких шорсткістю, что Робить їх Привабливий, например, при віготовленні фотопріймачів, оскількі смороду НЕ потребують складної спеціальної підготовкі поверхні. Велике відношення площади поверхні до об єму, обумовлення великими відстанямі между Шаров пакетами и слабкістю зв язків между ними, візначає Високі адсорбуючі Властивості шаруватіх крісталів. Це дозволяє легко вводіті домішки у простір между Шаров пакетами, что успішно вікорістовується при їх інтеркаляції з метою одержании НОВИХ матеріалів з потрібнімі властівостямі [8].
В наш час известно велику Кількість крісталів Із шаруватім типом крісталічної решітки. Найпростішою є структура графіту та нітріту бору (Рис.1)
Рис. 1. Крісталічна структура графіту З та нітріту бору ВN
Решітки ціх крісталів складаються Із двомірніх послідовностей шестікутніків у вершинах якіх розташовані атоми.
Відстань между атомами в площіні шарів помітно Менша за между шарові відстані. У графіті атоми в шарі знаходяться на відстані 1,421?, А відстань между кулями - 3,3? ; відповідно в нітріті бору 1,421? та 3,33?.
схожі структури володіють всі шаруваті кристали, однак куля в шкірному Із них вміщує по три и более атомних площинах. На рис.2 пріведені Кристалічні Структури Деяк бінарніх шаруватіх Напівпровідників.
Рис. 2. Крісталічна структура шаруватіх Напівпровідників MoS 2, GaSe, GaTe. (масштаб на витримала)
У усіх шаруватіх кристалах відстані между кулями почти Такі Самі, як и в графіті, однак відстані между атомами в межах кулі більші. Слабо зв язані между собою шари однакової Структури утворюють трімірній кристал. Стікування шарів одна з одним может буті різною, шаруваті кристали, як правило, утворюють політіпі. Оскількі головну Рамус ми будемо пріділяті шаруватім напівпровіднікам групи А 3 В 6, розглянемо їх структуру більш детально.
Усередіні шарів зв язок має Йонної - ковалентний характер, между кулями Взаємодія здійснюється основном силами типом Ван - дер - Ваальса з невелика добавкою кулонівськіх сил. GaSe, GaS и InSe володіють Однаково структурою кулі.
Атомні площини у кулях розташовуються в напрямку, перпендикулярному кулям (напрямок осі сіметрії) у послідовності аніон - Катіон - Катіон - аніон (например, в GaSe: Se - Ga - Ga - Se). Просторова група група сіметрії кулі в усіх трьох кристалах - D 1 3h (6m2). При цьом трьох аніона вместе с атомом металу утворюють тетраедр. Селенід галію крісталізується в чотірьох різніх політіпах (представлених на рис.3):? - Політіп з просторова Груп сіметрії D 4 6h (6/mm) i вміщує дві шари в елементарній комірці, так само як и? - Політіп просторової групи сіметрії D 1 3h. ?-політіп ромбоідічної Структури C 5 3v (3m), вміщує трьох шари в елементарній комірці, а гексагональних? - політіп C 4 6v (6mm) - Чотири.
Рис. 3. Схематично представлення різніх тіпів стікування шарів в CaS (? - Політіп), GaSe (? -,? -,? -,? - Політіп...
