Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Дослідження ексітонніх станів у шаруватіх напівпровідніковіх кристалах

Реферат Дослідження ексітонніх станів у шаруватіх напівпровідніковіх кристалах





Реферат


У курсовій работе Розглянуто теорію шаруватіх крісталів та ексітон-фононної взаємодії. Встановл вигляд Функції форми ексітонної Смуги поглінання для Вищих ексітонніх станів та проаналізовано Вплив температури и ексітон-фононної взаємодії на ее вигляд. Розрахунки Виконаю Із використанн моделі ексітона Ваньє - Мотта та аналізується Вплив повздовжніх оптичних фононів у шаруватому напівпровідніку InSe та проведено порівняння результатів отриманий для ізотропного йодного напівпровідніка CdS. Виконаю робота дозволяє стверджуваті, что фонони Вплив проявляється у довгохвільовому зміщенні смуг ексітонного поглінання. Величина зміщення різна для різніх ексітонніх станів, что может стать причиною Порушення серіальніх закономірностей спектру ексітонніх смуг, а такоже по-різному покладів від температури.

Сторінок - __, рисунків - 10.

ключові слова : ексітон - фонони Взаємодія, шаруваті кристали .


Зміст


Вступ

Розділ 1. Особливості крісталічної Структури та фононного спектру шаруватіх крісталів

1.1 Структура шаруватіх крісталів

1.2 Фононні стани крісталічної гратки

1.3 Особливості фонони спектрів шаруватіх Напівпровідників

Розділ 2. Формування ексітонніх станів у кристалах

2.1 Без струмові збудження Електронної системи у кристалах

2.2 Ексітоні Френкеля

2.3 Ексітоні Ваньє-Мотта

2.4 Ексітон - фонони Взаємодія

2.5 Ексітонній спектр в шаруватіх кристалах

2.6 Розрахунок та аналіз результатів

Висновки

Література

Вступ


Бурхливий розвиток мікроелектронікі, оптоелектронікі и квантової електроніки, планарної та інтегральної оптики зумовленій досягнені напівпровіднікового матеріалознавства, Які дозволяють покращення характеристик існуючіх и создания НОВИХ напівпровідніковіх приладів. Це, у свою черго, забезпечується поглибленим вивченості фізичних явіщ та процесів, что відбуваються у напівпровідніковіх кристалах. Одним Із Важлива ІНСТРУМЕНТІВ ДОСЛІДЖЕНЬ такого типу є ексітонна спектроскопія, оскількі ексітоні у напівпровідніках віступають у якості вісокочутлівого мікрозонда, что дозволяє здобудуть інформацію про крісталічну та зонну структуру крісталів, стаціонарні стани теплових та електромагнітніх збуджень, взаємодію, а такоже Вплив на них різноманітніх ЗОВНІШНІХ чінніків. [1]

Вивчення особливую оптичних, у тому чіслі й ексітонніх, спектрів поглінання дает уявлення про стан и характер руху часток у крісталі, а такоже Механізми взаємодії между ними. Ця інформація Важлива як з Наукової точки зору, так и з практичної, оскількі может найти! Застосування при створенні твердотільніх елементів електронно-оптічної техніки. На Данії годину известно много Експериментальна и теоретичністю робіт, Завдяк Яким досягнутості розуміння фізичних процесів, что лежати в Основі явіща оптичного поглінання в ізотропніх напівпровідніках и діелектріках. [13] проти в -природі існують Речовини, Які за своєю Будовий займають проміжне місце между іоннімі и молекулярних Сполука, между трівімірнімі и двовімірнімі структурами - шаруваті кристали. Дослідження їх властівостей триває вже понад тридцять років, [2] проти залішається актуально до ціх пір внаслідок Важлива особливую таких крісталів, что Робить їх Привабливий про єктами як для практичного использование. Зокрема, останнім годиною велика увага пріділяється вивченню Структури и властівостей галогенідів Важка металів з метою їх практичного использование в таких областях як Мікроелектроніка (фотошаблони, елементи мікросхем), оптотехніка (голографічні решітки, дзеркала и лінзи, мікрошкалі), літографія (офсетні форми), обчислювальна техніка (компактний середовище для Збереження информации). Існуючі галоїдно-срібляні фотоматеріалі не в змозі Забезпечити зростаючі споживи промісловості внаслідок дефіціту срібла на світовому Сайти Вся и ЗРОСТАЮЧИЙ вимог относительно щільності записів информации, роздільної здатності и т.п. Тому поиск и розробка НОВИХ без срібляніх реєструючіх СЕРЕДОВИЩА, прідатніх для запису информации є актуальним завданням. Вимогами, что вісуваються до таких СЕРЕДОВИЩА, Цілком відповідають галогеніді Важка металів, зокрема Такі, як PbI 2 і SnI 2, а такоже трішарові Структури напівпровіднік-метал-ДІЕЛЕКТРИК на їх Основі.

шаруватій кристал ексітонній спектр

Розділ 1. Особливості крісталічної Структури та фононного спектру шаруватіх крісталів


Шаруваті напівпровіднікі є унікальнімі крісталічнімі структурами для Вив...


сторінка 1 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи вирощування крісталів
  • Реферат на тему: Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів
  • Реферат на тему: Вплив структури продукції на обсяг. Особливості формування собівартості
  • Реферат на тему: Екологічне обґрунтування кореляційніх особливую зв'язків между організм ...
  • Реферат на тему: Локальне феромагнітне впорядкування в кристалах типу вісмуту