поверхні напівпровіднікового елементи І, тім самим, до Збільшення виходим шлюбу, а й збурює плазму, часто непередбачуванім чином. Зменшення и Запобігання ціх негативних ефектів НЕ можливе без розуміння процесів Утворення и зростанню конденсованіх частінок в плазмі, механізму їх перенесеного и впліву на Властивості розряду.
У процесах травлення існують дві джерела Пілов частінок. По-перше, це перенасіченість парів продуктов травлення, что виробляти до сублімації частінок и крапель. У хімічно реагуючіх сумішах пілові частинки утворюються в результате хімічніх реакцій. Так можна вірощуваті частинки необхідніх Розмірів в лабораторних експеримент, а, потім, зупини реакцію (например, зменшіть Потужність, вкладаємо в розряд) їх досліджуваті. Друге джерело - сам процес травлення, принцип которого Полягає в Наступний. Куля заряду біля стінок камери зупіняє Електрон и пріскорює іоні, Які набуваються Енергію, якові можна порівняті з електронною температурою kTe. Зразок для травлення має маску, и іоні, что досягають его поверхні, повінні створюваті локальної температури порядку температури плавлення матеріалу бланках. Це виробляти до інжекції фрагментів травлення в плазмовий об'єм.
Пив и Пілов плазма широко пошірені в космосі. Смороду віявлені в планетарних кільцях, хвостах комет, міжпланетніх и міжзоряніх хмарах, поблизу штучних супутніків Землі. Сьогодні роль колективних ефектів внесених пилом Враховується при космічніх дослідженнях. Например, показано, что в кільцях Сатурна для частінок менше 1 мкм домінуючою силою взаємодії є електростатічне відштовхування. Воно візначає товщина планетарних кілець. Саме Великі пилинки мают розмір 5 м (Рівний d).
Пілов компонента існує в прістіночній області термоядерних установок з магнітнім УТРИМАННЯ. Вона утворюється при Ядерний вибух, відаляється з відповідніх установок ЕЛЕКТРИЧНА Пилосос .
Плазма як суміш газів зазвічай характерізується слабою або помірною взаємодією между компонентами (в порівнянні з їх тепловою енергією), что відокремлює цею стан Речовини від твердого та рідкого станів, Які характеризуються сильним взаємодією. Повністю іонізовані гарячі гази часто назіваються Ідеальної плазми. Крітерієм сильного зв язку может служити параметр неідеальності (постійні зв язки), Який візначається як відношення ЕНЕРГІЇ кулонівського взаємодії между сусіднімі частинками до теплової ЕНЕРГІЇ частінок kT, тобто
.
За такого формулювання? ЕФЕКТ екранування нехтують. Тоді при? ? 1 в сістемі з'являється ближній порядок, а при? ? 170 - Дальній, тобто відбувається крісталізація. Параметр неідеальності можна збільшуваті Наступний способами. По-перше, підвіщуваті концентрацію частінок n (так відбувається в твердих тілах). У газах це можливо в ударних хвилях. Оцінка для центру Сонця, де n=тисяча двадцять шість див- ?, Т? 1,5 кеВ дает? ? 0,1. По-одного, можна зменшуваті температуру плазми (за умови відсутності рекомбінації). Так, Кристалічні структури в однокомпонентних сумішах спостерігаліся в електростатічніх вакуумних Пастці и Пастці Паулі на іонах магнію, охолодженя до температур10-? К. Кулонівській кристал реалізується такоже в колоїдніх Розчин, де частинки мікронного розміру, Зважені в електроліті, заражаються до величини заряду 104е. Альо через сильне екранування необхідна велика концентрація частінок. Це виробляти до труднощів при Експериментальна вівченні. Крім того, годину стійкої рівновагі очень ровері.
Третя можлівість Підвищення?- Збільшення заряду частінок q. У 1986 р. Ікезі Було вісловлено припущені про можливіть крісталізації пілової компоненти в нерівноважній газорозрядній плазмі. У 1994 р. плазмово-Пілов кристал експериментально спостерігався в плазмі вісокочастотного розряду, поблизу Нижнього електрода на кордоні прікатодної області (див. рис.1). У горизонтальному перетіні площею 6, 2 мм2 находится 392 порошинки діаметром 7 мкм.
Рис. 2 демонструє Розташування різніх лабораторних и космічніх плазм на фазовій площіні (n, T) (1еВ=11600К). Суцільною лінією відокремлена область Польовий плазми (?=1), что розділяє стану Сильної и слабкої зв'язку. Ранее, область? Gt; 1 булу доступна только для теоретичного дослідження з використанн чисельного методів.
Плазмовий кристал может мати різну крісталічну структуру з постійною решітки порядку доль міліметра. Це дозволяє спостерігаті его неозброєнім оком. Плазмові кристали мают цілу низьку унікальніх властівостей, что роблять їх незаміннім інструментом, як при дослідженні властівостей неідеальної плазми, так и при дослідженні фундаментальних властівостей кристала. До них слід Віднести простоту Отримання, спостереження и контролю за параметрами, а такоже малі часи релаксації до рівновагі и відгуку на Зовнішні Обурення; можлівість Проводити вимірювання на кінетічному Рівні: безпосередно візначаті функцію розподілу Пілов ча...
