рямку (обидва закриті). Режим відсічення транзистора виходить тоді, коли емітерний і колекторний р-n-переходи підключені до зовнішніх джерел у зворотному напрямку. У цьому випадку через обидва р-n-переходу протікають дуже малі зворотні струми емітера (I Ебо) і колектора (I КБО). Струм бази дорівнює сумі цих струмів і залежно від типу транзистора знаходиться в межах від одиниць мікроампер - мкА (у кремнієвих транзисторів) до одиниць міліампер - мА (у германієвих транзисторів).
) Бар'єрний режим . У даному режимі база транзистора по постійному струму з'єднана накоротко або через невеликий резистор з його колектором, а в колекторному або в емітерний ланцюг транзистора включається резистор, що задає струм через транзистор. У такому включенні транзистор представляє з себе своєрідний діод, включений послідовно з токозадающего резистором. Подібні схеми каскадів відрізняються малою кількістю комплектуючих, хорошою розв'язкою по високій частоті, великим робочим діапазоном температур, нечутливістю до параметрів транзисторів.
Схема включення транзистора із загальною базою (ПРО) зображена на рис 2.
схема електричний підсилювальний каскад
Рис 2. Схема включення з ПРО.
Серед усіх трьох конфігурацій володіє найменшим вхідним і найбільшим вихідним опором. Має коефіцієнт посилення по струму, близький до одиниці, і великий коефіцієнт посилення по напрузі. Фаза сигналу НЕ інвертується.
Коефіцієнт посилення по струму:
вих/I вх=I к/I е =? [? lt; 1]
Вхідний опір
R вх=U вх/I вх=U бе/I е.
Вхідний опір для схеми із загальною базою мало і не перевищує 100 Ом для малопотужних транзисторів, оскільки вхідні ланцюг транзистора при цьому являє собою відкритий емітерний перехід транзистора.
Переваги: ??
· Хороші температурні та частотні властивості.
· Висока допустима напруга
Недоліки схеми з ПРО:
· Мале посилення по струму, так як? lt; 1
· Мале вхідний опір
· Два різних джерела напруги для живлення.
Схема включення із загальним емітером (ОЕ) показана на рис 3:
Рис 3. Схема з ОЕ.
вих=I до
I вх=I б
U вх=U бе
U вих=U ке
· Коефіцієнт посилення по струму:
I вих/I вх=I к/I б=I к/(I е -I к) =?/(1?) =? [? gt; gt; 1]
· Вхідний опір:
вх=U вх/I вх=U бе/I б
Переваги: ??
· Великий коефіцієнт посилення по струму
· Великий коефіцієнт посилення по напрузі
· Найбільше посилення потужності
· Можна обійтися одним джерелом живлення
· Вихідна змінна напруга інвертується щодо вхідного.
Недоліки:
· Найгірші температурні та частотні властивості порівняно з схемою із загальною базою
Схема включення біполярного транзистора з ОК зображена на рис 4. Схему з таким включенням називають «емітерний повторювачем».
Рис 4. Схема з ОК.
вих=I е
I вх=I б
U вх=U бк
U вих=U ке
· Коефіцієнт посилення по струму:
вих/I вх=I е/I б=I е/(I е -I к)=1/(1?) =? [? gt; gt; 1]
· Вхідний опір:
вх=U вх/I вх=(U бе + U ке)/I б
Переваги: ??
· Велике вхідний опір
· Мале вихідний опір
Недоліки:
· Коефіцієнт посилення по напрузі менше 1.
. 2 Загальні відомості про електронні підсилювачах
Електронний підсилювач - підсилювач електричних сигналів, в підсилювальних елементах якого використовується явище електричної провідності в газах, вакуумі і напівпровідниках. Електронний підсилювач може являти собою як самостійний пристрій, так і блок (функціональний вузол) у складі якої-небудь апаратури - радіоприймача, магнітофона, вимірювального приладу і т. Д.
Каскад посилення - щабель підсилювача, що містить один або кілька підсилювальних елементів, ланцюги навантаження і зв'язку з поп...
