r />
Призначення висновків:
- інверсний вхід установки 0 R1;
- вхід D1;
- вхід синхронізації C1;
- інверсний вхід установки 1 S1;
- вихід Q1;
- вихід інверсний Q1;
- загальний;
- вихід інверсний Q2;
- вхід Q2;
- інверсний вхід установки 1 S2;
- вхід синхронізації C2;
- вхід D2;
- інверсний вхід установки 0 R2;
- напруга живлення.
Таблиця 3. Електричні параметри мікросхеми К155ТМ2
ПараметрЗначеніеНомінальное напруга пітанія5 У 5% Вихідна напруга низького уровняне більше 0,4 ВВиходное напруга високого уровняне менше 2,4 ВНапряженіе на антізвонном діодене менш - 1,5 ВВходной струм низького рівня по входах 2,4,10 , 12 по входах 1,3,11,13 не більше - 1,6 мА не більше - 3,2 мАВходной струм високого рівня по входах 2,12 по входах 4,3,11,10 не більше 0,04 мА не більше 0,08 мАВходной пробивний токне більше 1 МАТОКЄ короткого замикання - 18 ... - 55 маток потребленіяне більше 30 мАПотребляемая статична потужність на один Тригерна більш 78,75мВтВремя затримки поширення при включенііне більше 40 нсВремя затримки поширення при виключенііне більше 25 нсТактовая частотане більше 15 МГц
Мікросхема К155ІД3
мікросхем являє собою дешифратор-демультиплексор 4 лінії на 16. Мікросхема містить 225 інтегральних елементів [16].
Корпус К155ІД3 (малюнок 3а) типу 239.24-2, маса не більше 4 г.
Умовне графічне позначення представлено на малюнку 3 б, електричні параметри мікросхеми наведено в таблиці 4.
а б
Малюнок 3
- 11 - виходи Y1 - Y11;
- 17 - виходи Y12 - Y16;
- загальний;
, 19 - стробирующие входи;
- напруга живлення;
- 23 - інформаційні входи.
Таблиця 4. Електричні параметри мікросхеми К155ІД3
ПараметрЗначеніеНомінальное напруга пітанія5 У 5% Вихідна напруга низького уровняне більше 0,4 ВВиходное напруга високого уровняне менше 2,4 ВВходной струм низької уровняне більше - 1,6 мАВходной струм високої уровняне більше 0,04 МАТОКЄ потребленіяне більше 56 мАВремя затримки поширення при включенні по входах 20 - 23 по входах 18, 19не більше 33 нс не більше 27 нсВремя затримки поширення при виключенні по входах 20 - 23 по входах 18, 19не більше 36 нс не більше 30 нсВремя дешіфрацііне більше 35 нсПотребляемая потужність на понад 294 мВт
Мікросхема К155ЛА4
Мікросхема представляє собою три логічних елемента 3І-НЕ [16].
Корпус К155ЛА4 типу 201.14-1 (малюнок 1а), маса не більше 1 г.
Умовне графічне позначення представлена ??на малюнку 4, електричні параметри мікросхеми наведено в таблиці 5.
Малюнок 4
Призначення висновків
, 2,13,3,4,5,9,10,11 - входи X1-X9;
- вихід Y3;
- загальний;
- вихід Y2;
- вихід Y1;
- напруга живлення;
Таблиця 5. Електричні параметри мікросхеми К155ЛА4
ПараметрЗначеніеНомінальное напруга пітанія5 У 5% Вихідна напруга низького уровняне більше 0,4 ВВиходное напруга високого уровняне менше 2,4 ВНапряженіе на антізвонном діодене менш - 1,5 ВВходной струм низької уровняне більше - 1,6 мАВходной струм високого уровняне більше 0,04 мАВходной пробивний токне більше 1 МАТОКЄ короткого замикання - 18 ... - 55 маток споживання при низькому рівні вихідного напряженіяне більше 16,5 МАТОКЄ споживання при високому рівні вихідного напряженіяне більше 6 мАПотребляемая статична потужність на один логічний елементна більш 19,7 мВтВремя затримки поширення при включенііне більше 15 нсВремя затримки поширення при виключенііне більше 22 нс
Мікросхема К155ЛІ1
Мікросхема представляє собою чотири логічних елемента 2И [16].
Корпус К155ЛІ1 типу 201.14-1 (малюнок 1а), маса не більше 1 г.
Умовне графічне позначення представлено на малюнку 5, електричні параметри мікросхеми наведено в таблиці 6.
Призначення висновків:
, 2,4,5,9,10,12,13 - входи;
