- Показник заламані. Сюди відносяться сегнетоелектрікі Sn 2 P 2 S 6 , LiNbO 3 , LiTaO 3 , BaTiO 3 и Інші, напівпровіднікі CdS, CdTe, Bi 12 SiO 20 , Bi 12 GeO 20 и т.д. Домішки, Які є в кристалах, под дією світла могут іонізуватіся, тоб віддаваті Електрон в зону провідності, и в результаті вінікає зміна сертифіката № заламані. Зх великого числа різніх механізмів розглянемо так звань діфузійній Механізм.
У момент іонізації макроскопічна Густина заряду НЕ вінікає, оскількі заряд електронів точно компенсується позитивним зарядом іонізованіх домішок. Альо Завдяк Великій рухлівості Електрон Швидко почінають діфундуваті від місця збудження, а іоні залішаються на місці. У результаті Спільної Дії просторово неоднорідного збудження и діфузії електронів в Напрямки областей з меншими інтенсівністю вінікає неоднорідній Розподіл об'ємного заряду І, як наслідок, неоднорідне статичність полі, Яку через ефект Поккельса модулює Показник заламані.
Дещо Інший Механізм фоторефрактивного (ФР) відгуку реалізується, ЯКЩО на кристал Накладено й достатньо сильне статичне електричне поле Е 0 . Це поле відносіть Електрон від позитивних іонів и тім самим створює просторово неоднорідність заряду, поля и сертифіката № заламані. p> Цікава властівість ФР СЕРЕДОВИЩА Полягає в тому, что в Деяк випадка запісувані в них дінамічні голограм запам'ятовуються На тривалий годину при віміканні Дії на них. Записання інформацію можна потім стерти, Наприклад, тепловою дією або однорідною засвіткою кристалу. p> Ще одна спеціфічна особлівість ФР нелінійності Полягає в й достатньо сільній анізотропії коефіцієнта r. Так, у випадка коли хвильовий вектор ФР гратки напрямків Вздовж оптічної осі в LiNbO 3 , коефіцієнт r 33 пріблізно в 5 разів більшій, чем r 22 при орієнтації цього вектора поперек осі. br/>
1.2 фоторефрактивного ефект
ФР ефект - це зворотня зміна сертифіката № заломлених Dn в об'ємі кристалу, як всередіні світлового пучка, так и в прилягла областях. Величина цієї Зміни для Деяк матеріалів досягає 10 -4 - 10 -3 (LiNbO 3 , LiTaO 3 ), годину пам'яті ЕФЕКТ колівається в межах від мілісекунд (ВаТіO 3 ) до місяців (LiNbO 3 ) [3]. Цю зміну сертифіката № заломлених можна стерти Шляхом нагріву, однорідного освітлення чг доклади сильного електричного поля.
В основному ФР ефект обумовлення наявністю дефектів, что призводять до Виникнення в забороненій зоні Додатковий рівнів, Які віступають як донори або акцептори зарядів. При наявності світла носії заряду (Електрон, діркі або ті й Другие разом) збуджуються у відповідну зону, де смороду дрейфують, діфундують, І знову захоплюються домішкамі [1,3]. Іншім можливіть механiзм перенесенню являється актівоване свiтлом тунелювання, тоб перескакування iз пастки на пастку.
Яким бі НЕ БУВ транспортний Механізм, ЯКЩО ж кристал опромiнюється неперервно, то в кiнцi - кiнцiв фотоіндуковані носії заряду перерозподiляються у відповідності з розподілом інтенсівності світлового поля. Колі свiтло віключається, то заряди частково залішаються локалізованімі (ЯКЩО в темнотi кристал є добрим дiелектріком), тоб локалiзованi носiї заряду "запам'ятовуються" свiтлову картину. p> Iснують деякi Загальнi умови, необхiднi для спостереження ФР ЕФЕКТ: по-перше, для здобуття помiтної величиною в дослiджуваніх кристалах повиннi буті й достатньо великi електрооптічнi коефiцiєнті. Оскiльки ефект має об'ємний характер, необхiдно, щоб довжина хвілi фотозбуджених розташовувалась Достатньо далеко вiд краю власного поглинання. Тому при дослiдженнi ФР ЕФЕКТ, его спостерiгають, як правило, в й достатньо широкозонних матерiалах; в якості джерела освiтлення Використовують, найчастіше, Ні-Nе-(0.6328 мкм) або Ar - (0.448 мкм) лазери. ФР ефект НЕ потребує когерентностi збуджуючого свiтла, а основною умів помiтної змiни dn являється Достатньо висока Енергiя випромiнювання. Значення dn покладів такоже вiд трівалостi експозіцiї [1, 3]. p> Величина Зміни сертифіката № заломлених под вплива електричного поля Е может буті Визначи, вікорістовуючі слідуюче співвідношення:
(1.1)
де r ji - електрооптічній коефіцієнт.
Запис голограм здійснюється внаслідок об'ємної модуляції Dn, яка відповідає модуляції інтерференційної картини.
В
Рис.1.1 схематично зображення Виникнення Зсув ФР гратки f відносно смуг інтерференційної картини при діфузійному механізмі Формування гратки.
На малюнку: I (x), r (x), E SC (x), Dn (x) - просторові розподілі інтенсівності світлового поля інтерференційної картини, фотоіндукованого заряду, електричного поля та Зміни сертифіката № заламані, відповідно; f-фазові Зсув между Смуга інтерференційної картини та г...
