Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Контрольные работы » Однокаскадні підсилювачі

Реферат Однокаскадні підсилювачі





tify"> Згідно варіанту, розраховується каскад на польовому транзисторі за схемою з ОС (рис.1). Вхідний сигнал надходить на затвор транзистора, а вихідний формується на стоці. До схеми завдання робочої точки підключені через розділові конденсатори С1 і С2 джерело вхідного сигналу до затвору і навантаження Rн до стоку. br/>В 

Рис. I.1 Підсилювальний каскад із загальним стоком


У цьому підсилювальному каскаді резистор R2 ( Рис. I.1 ) виключено, тому що ніяких корисних функцій у даній схемі включення транзистора він не виконує, а резистор R4 використовується для більш зручного завдання робочої точки транзистора.


1.2 Малосігнальние параметри транзистора


Малосігнал'ние параметри транзистора - це параметри його еквівалентної схеми, необхідні для розрахунку основних підсилюючих властивостей каскаду. Необхідно враховувати, що, по-перше, вони визначаються не абсолютними значеннями струмів і напруг, а їх приростами щодо робочої точки транзистора, і, по-друге, їх величина залежить від положення робочої точки, тобто для різних значень постійних струмів і напруг навіть для одного й того ж транзистора малосигнальні параметри можуть істотно відрізнятися.

Малосігнальние параметри транзисторів можуть бути визначені за вольт-амперних характеристик (ВАХ).

Визначимо малосигнальні параметри польового транзистора для робочої точки Ic = 1 мА, Uc = 5 В, використовуючи ВАХ рис. 2.: p align="justify"> Крутизна


;


;


вихідний опір


В 

.


Для робочої точки = 5 В, = 1 мА параметри польового транзистора мають такі значення: S = 3,75 мА/В, Rст, = 20 кОм, = -0,8 В.

В 

Рис. I.2. Вольтамперні характеристики польового транзистора


1.3 Розрахунок опорів резисторів


Резистори R1-R4 і джерело постійної напруги + Е П (див. рис. 1.1, 1.2) визначають робочу точку транзистора. Для їх розрахунку необхідно скласти систему рівнянь по постійному струму. Так як розділові конденсатори С1 і С2 для постійного струму мають нескінченно великий опір, то джерело сигналу Е г і навантаження R H з рівнянь виключаються. Вихідними даними для розрахунку є + Е П і параметри робочої точки транзистора.

З рівняння Еп = легко визначається величина R3. Величину R1 (опір по постійному струму в ланцю...


Назад | сторінка 2 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Параметри польового транзистора
  • Реферат на тему: Параметри біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Дослідження характеристик і параметрів біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок біполярного транзистора