зі затвора) з міркувань стабільності робочої точки рекомендують вибирати з діапазону 500 - 1000 кОм, a R4 визначається рівнянням
.
Для вихідних даних
Е П = 10 В.
мА. = 5 В.
= -0,8 В.
та схеми рис. I.1 отримаємо:
кОм.
R1 = 510 кОм.
кОм.
Округляючи до стандартних номінальних значень по ряду Е24, отримаємо R1 = 510 кОм, R3 = 5.1 кОм, R4 = 680 кОм.
1.4 Еквівалентна схема каскаду
В
Рис. I.3 Схема каскаду для змінних складових. br/>В
Рис. I.4. Еквівалентна схема каскаду для області середніх частот
Еквівалентна схема каскаду, необхідна для розрахунку його підсилюючих параметрів, складається за відомим алгоритмом. Оскільки схема складається для змінних складових струмів і напруг, замикаємо джерело живлення + Е П , вважаючи його ідеальним джерелом ЕРС. Далі, замінюємо транзистор його лінійної еквівалентною схемою і для області середніх частот нехтуємо інерційністю транзистора і реактивним опором розділових конденсаторів С1, С2. Для еквівалентної схеми можна скласти систему рівнянь і отримати вирази для визначення К U , К I , r вх і r вих каскаду. Розглянемо тільки результати
кОм Н = 2 кОм; R3 = 5.1 кОм;
кОм;
;
;
.
До I для каскаду з ОС не розраховується, тому що вхідний струм затвора польового транзистора практично дорівнює 0.
1.5 Розрахунок ємностей розділових конденсаторів
Як відомо, розділові конденсатори впливають на властивості під...
