начене для вирішення завдань щодо забезпечення механічної міцності і стійкості конструкцій до зовнішніх діючих факторів. Конструювання навколишнього середовища пов'язане із забезпеченням надійного функціонування ЕОМ і призначене для вирішення завдань щодо забезпечення цілком певних теплових режимів роботи логічних елементів в пристроях. Таке конструювання характеризується усталеним терміном теплове конструювання .
Конструювання ж електронної частини ЕОМ має свої характерні особливості. Вони полягають в тому, що електронна частина призначена для виконання головної функції ЕОМ, а саме, для обробки, обміну та отримання результатів обчислень по заданих алгоритмах і програмах. Тому конструювання електронної частини пов'язано з рішенням широкого спектру складних специфічних завдань з вибору оптимальних параметрів логічних елементів, щодо компонування і оптимальному вибору параметрів конструкцій ЕОМ, щодо забезпечення швидкодії та завадостійкості ліній зв'язку в загальній системі межсоединений і багато інших. Усі завдання взаємопов'язані і вимагають для свого рішення розробки відповідних методів, правил, принципів і критеріїв конструювання. p align="justify"> Визначальною завданням для електронного конструіровованія було конструювання транзисторів і транзисторних схем (II - е покоління), потім, з появою ІС (III - е покоління), визначальним завданням стала компоновка вузлів і блоків на ІС і конструювання ліній зв'язку. Перехід до широкого застосування в ЕОМ БІС і НВІС (IV - е, V - е покоління) призвів до істотної зміни принципів компонування і появи нових методів обробки інформації, що не могло не відбитися на зміні методів конструювання та компонування електронної частини ЕОМ. При цьому завдання забезпечення заданого швидкодії, завадостійкості та перешкодозахищеності пристроїв зберігала свою визначальну роль і значимість. br/>
1. Вибір схемотехніки, рівня технології і параметрів базового матричного кристала БІС
У цьому розділі дається обгрунтування вибору типу схемотехніки ЛЕ, використовуваної в БІС, принципів побудови структури БМК, що впливають на розміри кристала, і значення основного параметра, що характеризує рівень технології кристалів БІС, і що знаходиться в певній взаємозв'язку зі ступенем інтеграції.
При виборі типу схемотехніки елементів виходили з можливості забезпечення теплових режимів у пристрої при заданому рівні інтеграції.
При виборі рівня технології і параметрів структури БМК особлива увага приділялася питанням ефективності використання інтеграції кристала, принципам та умовам розміщення провідників металізації, уточненню значення підсумкового максимального рівня інтеграції ЛЕ на кристалі. Також враховували, що в завданні дається значення максимального ефективного рівня інтеграції пристрою, пов...
