y"> Опір резисторів обчислюємо за формулою:
В
R1 = 3000 Ом /?? 50 мм/9 мм = 16666,67 Ом
R2 = 3000 Ом /?? 6 мм/11 мм = 1636 Ом
Опору для R1, R2 входять в допустимий інтервал В± 5%, отже,? кв і розміри резисторів підібрані вірно.
Вибір технологічного процесу виготовлення плати фільтра
Будь технологія виготовлення плати з плівковими елементами включає в себе два основних етапи: нанесення плівки з провідного, резистивного або діелектричного матеріалу на підкладку і формування з цих плівок планарною (тобто в площині підкладки) конфігурації елементів. Процеси нанесення плівки і формування малюнка можна здійснювати або послідовно один за одним, або одночасно. Вибір того чи іншого варіанту залежить від природи процесу, величини параметрів елементів, обмежень на функціональні параметри по точності, надійності, стабільності і т.д.
Напилювання тонких плівок може бути виконано на основі термічного вакуумного випаровування або іонно-плазмового розпилення матеріалів. Для здійснення процесу обгрунтовано вибирається відповідне обладнання. p align="justify"> Для формування конфігурації проводить, резистивного і діелектричного шару використовують різні методи:
- масковий: відповідний матеріал напилюють на підкладку через знімну або контактну маску;
- фотолітографічний: плівка наноситься на всю поверхню підкладки, а потім вибірково стравлюється з окремими (зайвими) ділянками;
комбінований: коли поєднуються масковий і фотолітографічний метод.
На основі цих методів для виготовлення плат гібридних тонкоплівкових інтегральних схем (ГІС) і функціональних вузлів (ФУ) можна виділити кілька характерних технологічних процесів (ТП).
ТП1 - всі шари наносяться через знімні маски;
ТП2 - послідовно напилюється матеріали резистивних плівок, потім проводять плівки за один вакуумний цикл на всю поверхню підкладки;
ТП3 - послідовність напилення шарів як у ТП2;
ТП4 - резистивний шар і конденсатори напилюється через маску, а малюнок проводить шару - фотолитографией;
ТП5 - через маску напилюється провідники та контактні площадки, малюнок резисторів формують фотолитографией;
ТП6 - малюнок резистивного шару формується фотолитографией, а провідники та контактні площадки напилюється через маску.
ТП7 - Напилювання резистивної і провідникової плівки на всю поверхню, а формування провідників за допомогою фотолітографії.
Резистивний шар напилюється на всю поверхню, потім напилюється проводить шар, після чого фотолітографія формує провідники і резистори. Для формування можна використовувати характерний процес ТП7. br/>
